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3樓: Originally posted by hfutjzy at 2013-01-30 08:06:27
你的膜表面很平吧，比較平淡表面SEM里面是沒有對(duì)比度的，所以看縱切面更容易一點(diǎn)，另外，你的電鏡是不是場(chǎng)發(fā)射的，不是場(chǎng)發(fā)射的話，把束斑尺寸調(diào)小點(diǎn)，加速電壓調(diào)小點(diǎn)

基地是薄膜，上面鍍的二氧化硅，表面是很整，縱切面也看了，也是看不清。這個(gè)是不是場(chǎng)發(fā)射的電鏡有關(guān)系嗎？

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7樓2013-01-30 13:09:47

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4樓: Originally posted by zizikiller at 2013-01-30 10:08:01
如果是bare wafer的話，很難聚焦。最好要cross section.
問題是你研究的重點(diǎn)是什么。為什么要看 SiO2.知道目的才能更好的解答

基地是薄膜，上面鍍的二氧化硅，做的是附著力測(cè)試，想看一下不同參數(shù)條件下二氧化硅的表面形貌。用鎢絲電鏡看不到，就是一層，看不到顆粒，調(diào)了好久了，總是調(diào)不好。

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8樓2013-01-30 13:12:26

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hfutjzy

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【答案】應(yīng)助回帖

★
yanhualover: 金幣+1, 謝謝您的詳細(xì)解析，期待更精彩。 2013-01-31 20:45:59

引用回帖:

7樓: Originally posted by justwwt at 2013-01-30 13:09:47
基地是薄膜，上面鍍的二氧化硅，表面是很整，縱切面也看了，也是看不清。這個(gè)是不是場(chǎng)發(fā)射的電鏡有關(guān)系嗎？...

平整的表面電鏡是看不清的，什么電鏡都不行，因?yàn)闆]有襯度，如果表面很平整你又想看表面形貌的話我建議你試試原子力顯微鏡AFM。
你的切面沒有道理看不到的啊，你確定你的切面切得夠好么，這樣的薄膜，看切面制樣要花一定功夫的。如果還有條件，去TEM上看看，可以看到切面的。

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精益求精，不斷進(jìn)取

9樓2013-01-30 14:20:15

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【答案】應(yīng)助回帖

要是放大倍數(shù)要求不大的話，建議采用環(huán)境掃描電鏡，那個(gè)在20000倍以下，成像效果挺好的。
我的是噴金以后，用場(chǎng)發(fā)射電鏡，效果也挺好的啊
你是不是用手不小心抹掉了，二氧化硅薄膜很脆弱的

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10樓2013-02-08 23:24:57

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