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[求助] CVD（化學氣相沉積）方法為什么不能制備很厚的薄膜已有1人參與

利用CVD（化學氣相沉積）方法制備薄膜，為什么得不到cm級厚度的薄膜？

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1樓 2013-02-18 17:35:34

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★ ★ ★
感謝參與，應助指數(shù) +1
xjxj1xjxj: 金幣+2, ★★★很有幫助 2013-02-18 18:13:57
ant_512: 金幣+1, 感謝應助~ 2013-02-18 18:55:32

本來都是離子還原成原子再堆起來，不可能無限堆

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2樓2013-02-18 17:53:05

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引用回帖:

7樓: Originally posted by zihudie at 2013-02-19 09:04:26
請教一下為什么基底不平，坑里的沉不進去呢？不應該也是一點一點堆進去的嗎？...

我理解的是就像下雪一樣如果地面不平積雪也會坑坑洼洼的

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9樓2013-02-19 09:20:18

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ant_512: 金幣+1, 獎勵！ 2013-03-07 09:13:41

個人認為：
1.CVD工藝存在shadow等影響，納米或微米級薄膜影響較小一下，如果厚度增加，可能出現(xiàn)薄膜空洞等現(xiàn)象;
2.材料在襯底上沉積時時會產(chǎn)生應力，隨著厚度增加，應力不斷增加，可能出現(xiàn)沉積薄層崩裂現(xiàn)象（特別時從高溫轉(zhuǎn)移至室溫后）

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10樓2013-02-19 10:05:17

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2樓: Originally posted by 醋人 at 2013-02-18 17:53:05
本來都是離子還原成原子再堆起來，不可能無限堆

如果基底很大是3維結(jié)構(gòu)的是不是在3維結(jié)構(gòu)表面上都可以形成很薄的薄膜？
這個3維結(jié)構(gòu)的基底是不是就可以無限大都可以？

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3樓2013-02-18 18:13:48

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xjxj1xjxj: 金幣+1, ★有幫助, 謝謝 2013-02-18 18:45:21

引用回帖:

3樓: Originally posted by xjxj1xjxj at 2013-02-18 18:13:48
如果基底很大是3維結(jié)構(gòu)的是不是在3維結(jié)構(gòu)表面上都可以形成很薄的薄膜？
這個3維結(jié)構(gòu)的基底是不是就可以無限大都可以？...

原子直徑0.1nm級，到cm及得堆多少，基底可以和初始沉積原子反應，后邊就不一定了。
有反應能力才可以

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4樓2013-02-18 18:26:18

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4樓: Originally posted by 醋人 at 2013-02-18 18:26:18
原子直徑0.1nm級，到cm及得堆多少，基底可以和初始沉積原子反應，后邊就不一定了。
有反應能力才可以...

用CVD方法制備膜基底必須很平整嗎？如果不平整對帶來什么問題？

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5樓2013-02-18 21:20:09

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xjxj1xjxj: 金幣+5, ★★★★★最佳答案, 非常感謝很有收獲 2013-02-18 22:48:26

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5樓: Originally posted by xjxj1xjxj at 2013-02-18 21:20:09
用CVD方法制備膜基底必須很平整嗎？如果不平整對帶來什么問題？...

看你要求什么級別，當然越平越好。不平，坑里的沉不上去

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6樓2013-02-18 22:06:34

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6樓: Originally posted by 醋人 at 2013-02-18 22:06:34
看你要求什么級別，當然越平越好。不平，坑里的沉不上去...

請教一下為什么基底不平，坑里的沉不進去呢？不應該也是一點一點堆進去的嗎？

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daydaystudy,goodgoodup.

7樓2013-02-19 09:04:26

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7樓: Originally posted by zihudie at 2013-02-19 09:04:26
請教一下為什么基底不平，坑里的沉不進去呢？不應該也是一點一點堆進去的嗎？...

就像臉上的皺紋里不容易涂化妝品，有各種原因，最少可以理解坑外邊的好沉積

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8樓2013-02-19 09:07:04

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