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xmcxbjh金蟲 (小有名氣)
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[交流]
LPCVD制備多晶硅薄膜及表征中的問題 已有2人參與
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1.用LPCVD法制備多晶硅薄膜時，我用20PA；通了硅烷，一會后壓強突然發(fā)生改變，我就把壓強調(diào)回來；一會后壓強又突然改變，我又把壓強調(diào)回來；我的總的鍍膜時間設(shè)定為0.5小時，但在這種情況下，20PA時鍍膜的時間肯定不準(zhǔn)確！ 有誰也出現(xiàn)過這種情況的��？請高手指點！！ 2.在測方塊電阻時，我用的直線型四探針，可是每次探針只要和樣品一接觸，電流就從0變成正數(shù)；如果忽略這個問題，輸出電壓經(jīng)常會是負的，而且和電流大小沒有關(guān)系！ 請高手指點�。� 3.多晶硅和單晶硅的電阻率誰大誰小�。� 4.大家測方塊電阻都是怎么測��？能簡單說下步驟么？ 上述問題請高手作答，我會自己手工發(fā)放金幣！ 泣謝！ |
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knightshui
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lovibond(金幣+2): 鼓勵交流 2011-07-05 09:00:02
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1.用LPCVD法制備多晶硅薄膜時，我用20PA；通了硅烷，一會后壓強突然發(fā)生改變，我就把壓強調(diào)回來；一會后壓強又突然改變，我又把壓強調(diào)回來；我的總的鍍膜時間設(shè)定為0.5小時，但在這種情況下，20PA時鍍膜的時間肯定不準(zhǔn)確！ 這種情況在不是最大抽氣速率的情況下是常見的，你只能試試抽氣速率設(shè)的最大，用通入的氣體量來調(diào)壓強。 2.在測方塊電阻時，我用的直線型四探針，可是每次探針只要和樣品一接觸，電流就從0變成正數(shù)；如果忽略這個問題，輸出電壓經(jīng)常會是負的，而且和電流大小沒有關(guān)系！ 我們的四探針測試儀是自動的，設(shè)置好之后，放上樣品，壓上針，自動出數(shù)據(jù)。 3.多晶硅和單晶硅的電阻率誰大誰小�。� 二者的電阻率和摻雜濃度相關(guān)，中等摻雜濃度以下，多晶硅的電阻率高一些。但是高摻雜的情況下，二者其實差不多了就。 |
2樓2011-07-05 00:40:22
xmcxbjh
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4樓2012-11-13 10:42:32
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