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xmcxbjh金蟲 (小有名氣)
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[交流]
LPCVD制備多晶硅薄膜及表征中的問題 已有2人參與
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1.用LPCVD法制備多晶硅薄膜時(shí),我用20PA;通了硅烷,一會(huì)后壓強(qiáng)突然發(fā)生改變,我就把壓強(qiáng)調(diào)回來;一會(huì)后壓強(qiáng)又突然改變,我又把壓強(qiáng)調(diào)回來;我的總的鍍膜時(shí)間設(shè)定為0.5小時(shí),但在這種情況下,20PA時(shí)鍍膜的時(shí)間肯定不準(zhǔn)確! 有誰也出現(xiàn)過這種情況的?請高手指點(diǎn)! 2.在測方塊電阻時(shí),我用的直線型四探針,可是每次探針只要和樣品一接觸,電流就從0變成正數(shù);如果忽略這個(gè)問題,輸出電壓經(jīng)常會(huì)是負(fù)的,而且和電流大小沒有關(guān)系! 請高手指點(diǎn)。 3.多晶硅和單晶硅的電阻率誰大誰小? 4.大家測方塊電阻都是怎么測啊?能簡單說下步驟么? 上述問題請高手作答,我會(huì)自己手工發(fā)放金幣! 泣謝! |

木蟲 (小有名氣)
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1.用LPCVD法制備多晶硅薄膜時(shí),我用20PA;通了硅烷,一會(huì)后壓強(qiáng)突然發(fā)生改變,我就把壓強(qiáng)調(diào)回來;一會(huì)后壓強(qiáng)又突然改變,我又把壓強(qiáng)調(diào)回來;我的總的鍍膜時(shí)間設(shè)定為0.5小時(shí),但在這種情況下,20PA時(shí)鍍膜的時(shí)間肯定不準(zhǔn)確! 這種情況在不是最大抽氣速率的情況下是常見的,你只能試試抽氣速率設(shè)的最大,用通入的氣體量來調(diào)壓強(qiáng)。 2.在測方塊電阻時(shí),我用的直線型四探針,可是每次探針只要和樣品一接觸,電流就從0變成正數(shù);如果忽略這個(gè)問題,輸出電壓經(jīng)常會(huì)是負(fù)的,而且和電流大小沒有關(guān)系! 我們的四探針測試儀是自動(dòng)的,設(shè)置好之后,放上樣品,壓上針,自動(dòng)出數(shù)據(jù)。 3.多晶硅和單晶硅的電阻率誰大誰小? 二者的電阻率和摻雜濃度相關(guān),中等摻雜濃度以下,多晶硅的電阻率高一些。但是高摻雜的情況下,二者其實(shí)差不多了就。 |

金蟲 (小有名氣)

金蟲 (正式寫手)

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