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ilmondo

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[交流] 兩個(gè)關(guān)于量子阱的小問(wèn)題

1.量子阱的勢(shì)阱所謂的基態(tài)（n=0能級(jí)），即原阱材料的導(dǎo)帶底真的存在嗎，還是成為量子阱之后，實(shí)際上的“導(dǎo)帶底”是n=1的導(dǎo)帶第一子能級(jí)？（一般在室溫PL發(fā)光中對(duì)應(yīng)的是導(dǎo)帶第一子能級(jí)到價(jià)帶第一子能級(jí)的躍遷（n=1），由于材料組分是和禁帶寬度（即導(dǎo)帶底到價(jià)帶頂?shù)木嚯x）一一對(duì)應(yīng)起來(lái)的，那么根據(jù)發(fā)光峰的能量反推材料組分是不是有點(diǎn)小難？？）

2.如果我的多量子阱的勢(shì)壘厚10nm，勢(shì)阱厚5nm，以勢(shì)壘中的波函數(shù)而言，不就有交疊么，會(huì)形成微帶嗎？假如有，不就會(huì)反過(guò)來(lái)影響勢(shì)阱的深度嘛？

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1樓 2013-04-01 14:22:14

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ilmondo

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又想到一個(gè)問(wèn)題：假如應(yīng)變量子阱形成了如下的能級(jí)結(jié)構(gòu)，輕重空穴分別被限制在壘和阱中。有外場(chǎng)時(shí)，輕重空穴各如何在壘和阱間遷移？

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7樓2013-04-03 13:52:25

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ilmondo

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第二個(gè)問(wèn)題，thx~關(guān)于第一個(gè)問(wèn)題，我的意思是：比如體材料的AlxGa(1-x)As,其Eg=1.423+1.594*x+x*(1-x)*(0.127-1.31*x),Al組分x可以由測(cè)得的帶隙Eg反推計(jì)算。但當(dāng)它作為勢(shì)阱，若室溫測(cè)得的發(fā)光是導(dǎo)帶第一子能級(jí)到價(jià)帶第一子能級(jí)的距離，如果要反推Al組分x，并沒(méi)有直接的公式把x和導(dǎo)帶與價(jià)帶第一子能級(jí)的差聯(lián)系起來(lái)。反推起來(lái)，因?yàn)槊吭囈粋€(gè)x就要算一遍量子能級(jí)的位置。

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4樓2013-04-02 12:07:29

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ilmondo(金幣+1): 謝謝參與
ilmondo: 金幣+5, 感謝幫助哈 2013-07-24 07:48:06

1. 反推是沒(méi)有嚴(yán)格的論證的，只不過(guò)是經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用而已。
2.你說(shuō)的正是超晶格的問(wèn)題。波函數(shù)與電子濃度分布相互影響，所以要自洽求解。

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5樓2013-04-02 16:01:21

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ilmondo

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引用回帖:

5樓: Originally posted by ygEric at 2013-04-02 16:01:21
1. 反推是沒(méi)有嚴(yán)格的論證的，只不過(guò)是經(jīng)驗(yàn)的應(yīng)用而已。
2.你說(shuō)的正是超晶格的問(wèn)題。波函數(shù)與電子濃度分布相互影響，所以要自洽求解。

哦。還想問(wèn)下，所謂的n=0基態(tài)能級(jí)是沒(méi)有了哇，n=1才是新的導(dǎo)帶底？ms是教科書(shū)上符號(hào)定義有些混亂。

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6樓2013-04-02 22:29:03

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