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[交流]
半導體器件仿真工藝參數(shù) 求教 交流
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大家好： 我們在做一些器件仿真時，發(fā)現(xiàn)層次的摻雜濃度和雜質的注入深度，對仿真結果影響很大，很難較準確地預計我們的器件性能，我們知道foundry對工藝參數(shù)是嚴格保密的，不方便透露，有做過工藝的或者有這方面經(jīng)驗的牛人們來交流，和大家分享下下這方面的經(jīng)驗，比如N+大概能打到多深，PWELL的摻雜水平在什么范圍等等。。 不同工藝的技術和指標不一樣，我的附件中列了三種不同的工藝下地一部分層次，牛人能解決鄙人的該問題，我另外種種有賞 希望大家踴躍討論。。。。。。 |
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本內容由用戶自主發(fā)布，如果其內容涉及到知識產權問題，其責任在于用戶本人，如對版權有異議，請聯(lián)系郵箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 工藝參數(shù)問題.docx
2013-04-11 20:28:03, 16.73 K
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2樓2013-04-12 12:07:15
祝福，祝福，祝福，搶沙發(fā)
3樓2013-04-12 18:38:05
4樓2013-04-12 20:13:55
7樓2013-04-12 23:55:01
8樓2013-04-13 08:37:29
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
evanbossccp: 金幣+5, 多謝指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金幣+3 2013-07-17 13:48:26
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
evanbossccp: 金幣+5, 多謝指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金幣+3 2013-07-17 13:48:26
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只有在Foundry 做PIE的人才能知道具體的工藝參數(shù)。但是現(xiàn)在的CMOS工藝，都是通過多次Ion Implantion完成的，單一工序的條件根本無法用來模擬器件的特性。 現(xiàn)在的Fab的SPICE Model，大部分都是通過實際器件進行參數(shù)提取的結果，在深亞微米范圍內，半導體器件的模型都不準確。短溝道效應，多重柵效應等，都沒有很準確的理論支持。對于深亞微米影響極為嚴重的溝道漏電流寄生特性，更無法進行準確仿真的。 工藝實踐走在器件理論的前面了，需要大家在Fab投入，才能獲得這是的器件模型。 |
9樓2013-05-06 23:56:07
10樓2013-05-08 00:03:38
簡單回復
亦岳98635樓
2013-04-12 20:35
jwucn6樓
2013-04-12 21:15
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