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[交流]
半導(dǎo)體器件仿真工藝參數(shù) 求教 交流
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大家好: 我們?cè)谧鲆恍┢骷抡鏁r(shí),發(fā)現(xiàn)層次的摻雜濃度和雜質(zhì)的注入深度,對(duì)仿真結(jié)果影響很大,很難較準(zhǔn)確地預(yù)計(jì)我們的器件性能,我們知道foundry對(duì)工藝參數(shù)是嚴(yán)格保密的,不方便透露,有做過工藝的或者有這方面經(jīng)驗(yàn)的牛人們來交流,和大家分享下下這方面的經(jīng)驗(yàn),比如N+大概能打到多深,PWELL的摻雜水平在什么范圍等等。。 不同工藝的技術(shù)和指標(biāo)不一樣,我的附件中列了三種不同的工藝下地一部分層次,牛人能解決鄙人的該問題,我另外種種有賞 希望大家踴躍討論。。。。。。 |
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只有在Foundry 做PIE的人才能知道具體的工藝參數(shù)。但是現(xiàn)在的CMOS工藝,都是通過多次Ion Implantion完成的,單一工序的條件根本無法用來模擬器件的特性。 現(xiàn)在的Fab的SPICE Model,大部分都是通過實(shí)際器件進(jìn)行參數(shù)提取的結(jié)果,在深亞微米范圍內(nèi),半導(dǎo)體器件的模型都不準(zhǔn)確。短溝道效應(yīng),多重柵效應(yīng)等,都沒有很準(zhǔn)確的理論支持。對(duì)于深亞微米影響極為嚴(yán)重的溝道漏電流寄生特性,更無法進(jìn)行準(zhǔn)確仿真的。 工藝實(shí)踐走在器件理論的前面了,需要大家在Fab投入,才能獲得這是的器件模型。 |
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