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我的芝麻木蟲 (小有名氣)
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[求助]
用BOE腐蝕氧化硅，如何降低邊緣粗糙度？
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用BOE腐蝕氧化硅，如何降低邊緣粗糙度？ 氧化層厚度11um，正性光刻膠AZ5214做掩摸，膠厚約2um，用的BOE是5:1的，腐蝕時間2小時，所得腐蝕邊緣有很多溝壑和凹坑；另外，試驗7um厚的4620膠，出現(xiàn)半圓形缺陷。請各位幫忙分析下這些都是什么原因造成的？該如何避免？新蟲發(fā)帖，金幣不多，望前輩們給予鼓勵 5214-1.jpg 5214-2.jpg 5214-3.jpg 4620.jpg 5214-4.jpg 5214-5.jpg [ Last edited by 我的芝麻 on 2013-6-3 at 11:04 ] |
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yswyx 
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我的芝麻(yanhualover代發(fā)): 金幣+10, 代發(fā)金幣。謝謝指導(dǎo)。 2013-06-05 14:47:36
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5214－2所表現(xiàn)出來的應(yīng)該是光刻膠本身裂開和光刻膠本身有缺陷的情況。 4620的圖貌似你已經(jīng)去膠了，所以沒辦法分析到底是膠的圖形問題還是，腐蝕或者SiO的問題。多半是4620光刻出來的圖形問題。 總體來說，你腐蝕的整體效果應(yīng)該說是不錯的，側(cè)向腐蝕少，線條平滑。其它圖中有缺陷的地方，要考慮SiO層本身的特性了。 你用的是什么方法做的SiO？無論是熱氧還是PECVD，存在缺陷和不均勻都是很正常的，那些地方腐蝕不凈可能是缺陷和不均勻造成的。這么厚的SiO，最好是干刻。 |
2樓2013-06-03 18:03:08
我的芝麻
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3樓2013-06-04 20:15:37
yswyx
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這么厚的氧化層腐蝕，很難達(dá)到你想要的平滑結(jié)構(gòu)的。材料缺陷是無法避免的，光刻缺陷也是無法避免的，你只能采用對缺陷不敏感的工藝手段才是合適的。 其它光刻膠，也會類似的效果，不會有什么大差別的。 你看5214-3這張圖，明顯的光刻膠層有一個微小的折線，這個折線處應(yīng)該是做掩模版的拼接誤差，這個折線導(dǎo)致了底下腐蝕出現(xiàn)差異。像這種情況，濕法腐蝕就會把缺陷放大，而干法刻蝕相對要好很多。 5214-1，很像是原來光刻膠層在那個位置表面上有一個很大的類似水滴痕跡的沾污，然后通過腐蝕傳遞了下去。 其實除去這些缺陷，你的圖形整體上是很漂亮的，尤其是-2和－3兩個圖。你下次光刻的時候，查一下光刻完的片子，多拍一些有缺陷的地方的照片，腐蝕后做一個對比。 |
4樓2013-06-05 14:12:19
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very good
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