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我的芝麻木蟲 (小有名氣)
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用BOE腐蝕氧化硅，如何降低邊緣粗糙度？
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用BOE腐蝕氧化硅，如何降低邊緣粗糙度？ 氧化層厚度11um，正性光刻膠AZ5214做掩摸，膠厚約2um，用的BOE是5:1的，腐蝕時(shí)間2小時(shí)，所得腐蝕邊緣有很多溝壑和凹坑；另外，試驗(yàn)7um厚的4620膠，出現(xiàn)半圓形缺陷。請(qǐng)各位幫忙分析下這些都是什么原因造成的？該如何避免？新蟲發(fā)帖，金幣不多，望前輩們給予鼓勵(lì) 5214-1.jpg 5214-2.jpg 5214-3.jpg 4620.jpg 5214-4.jpg 5214-5.jpg [ Last edited by 我的芝麻 on 2013-6-3 at 11:04 ] |
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gzl9901
鐵桿木蟲 (文壇精英)
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5214－2所表現(xiàn)出來(lái)的應(yīng)該是光刻膠本身裂開(kāi)和光刻膠本身有缺陷的情況。 4620的圖貌似你已經(jīng)去膠了，所以沒(méi)辦法分析到底是膠的圖形問(wèn)題還是，腐蝕或者SiO的問(wèn)題。多半是4620光刻出來(lái)的圖形問(wèn)題。 總體來(lái)說(shuō)，你腐蝕的整體效果應(yīng)該說(shuō)是不錯(cuò)的，側(cè)向腐蝕少，線條平滑。其它圖中有缺陷的地方，要考慮SiO層本身的特性了。 你用的是什么方法做的SiO？無(wú)論是熱氧還是PECVD，存在缺陷和不均勻都是很正常的，那些地方腐蝕不凈可能是缺陷和不均勻造成的。這么厚的SiO，最好是干刻。 |
2樓2013-06-03 18:03:08
我的芝麻
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3樓2013-06-04 20:15:37
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這么厚的氧化層腐蝕，很難達(dá)到你想要的平滑結(jié)構(gòu)的。材料缺陷是無(wú)法避免的，光刻缺陷也是無(wú)法避免的，你只能采用對(duì)缺陷不敏感的工藝手段才是合適的。 其它光刻膠，也會(huì)類似的效果，不會(huì)有什么大差別的。 你看5214-3這張圖，明顯的光刻膠層有一個(gè)微小的折線，這個(gè)折線處應(yīng)該是做掩模版的拼接誤差，這個(gè)折線導(dǎo)致了底下腐蝕出現(xiàn)差異。像這種情況，濕法腐蝕就會(huì)把缺陷放大，而干法刻蝕相對(duì)要好很多。 5214-1，很像是原來(lái)光刻膠層在那個(gè)位置表面上有一個(gè)很大的類似水滴痕跡的沾污，然后通過(guò)腐蝕傳遞了下去。 其實(shí)除去這些缺陷，你的圖形整體上是很漂亮的，尤其是-2和－3兩個(gè)圖。你下次光刻的時(shí)候，查一下光刻完的片子，多拍一些有缺陷的地方的照片，腐蝕后做一個(gè)對(duì)比。 |
4樓2013-06-05 14:12:19
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