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磁控濺射靶材中毒的原因
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靶材中毒主要原因是介質(zhì)合成速度大于濺射產(chǎn)額(氧化反應氣體通入太多)，造成導體靶材喪失導電能力，只有提高擊穿電壓，才能起輝，電壓過高容易發(fā)生弧光放電�，F(xiàn)象：靶電壓長時間不能達到正常，濺射靶材一直處于低電壓運行狀態(tài)，并伴有弧光放電;靶表面呈現(xiàn)白色附著物或密布針狀灰色放電痕跡。 若要徹底杜絕靶中毒，必須用中頻電源或射頻電源代替直流電源;減少反應氣體的通入量、提高濺射功率，清理靶材上的污染物(特別是油污)、選用真空性能好的防塵滅弧罩等方法均可有效防止靶中毒現(xiàn)象的發(fā)生。靶材內(nèi)冷卻水浸泡的磁鐵,有污漬，只要磁場強度足夠，冷卻效果良好，對靶材影響不大 污漬影響不大~打火是有絕緣部位造成的，一般是局部中毒或者贓物。東莞濺射靶材靶材中毒是因為功率密度太低，相對于過量的反應氣體不能及時蒸發(fā)掉(或濺射)，會殘留靶材表面，造成導電性能下降，從而進入中毒狀態(tài)。輕者無法起輝光，重者報廢電源。 |
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 磁控濺射靶材資料大全 | Target and film |
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