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AES利用電子束轟擊樣品，造成樣品電子束損傷的問題已有4人參與

利用電子束技術(shù)，可以得到樣品內(nèi)各種信息，從而催生了SEM/TEM/AES等的開發(fā)和普及。但是當(dāng)電子束轟擊樣品時，會造成電子束損傷，如樣品局部結(jié)構(gòu)改變甚至部分樣品熔融，想請教大家一個問題，初次電子束束斑大�。�30nm/100nm/1μm）、束流（0.25nA/10nA/1μA）和電子束能量（3keV/10keV/50keV/100keV）分別造成多大的電子損傷，特別是在樣品內(nèi)會產(chǎn)生多高的溫度？不知道大家有沒有這方面的資料和文獻，謝謝啦

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1樓 2013-10-10 08:39:25

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這個好像取決于所用的材料吧！

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2樓2013-10-10 10:43:46

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跟材料，導(dǎo)電性都有關(guān)系，很難說的，我做過導(dǎo)電性比較好熔點在200度的材料，不會化

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4樓2013-10-10 14:44:58

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5樓: Originally posted by w778023076 at 2013-10-10 16:52:31
在文獻中大多提到的電子束效應(yīng)引起的溫度變化主要與樣品熱導(dǎo)率、電子劑量有關(guān)，引起的溫度變化也是非常小的，一般只有幾個k，我覺得這是平均溫度，但是電子束作用點下的瞬時溫度是多大，會不會引起沸點比較小的樣品 ...

我目前遇到的樣品都不會，感覺溫度升高不會很多，平常的5kv，分析電流，有一些不穩(wěn)定的樣品倒是會變，像氯化銀溴化銀一類的，不過不知道是化學(xué)反應(yīng)還是因為溫度

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6樓2013-10-10 17:05:11

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2樓: Originally posted by tana3599102 at 2013-10-10 10:43:46
這個好像取決于所用的材料吧！

跟材料的熱導(dǎo)率也有關(guān)系，Egerton R F, Li P, Malac M. Radiation damage in the TEM and SEM[J]. Micron, 2004, 35(6): 399-409.這篇文章中具體提到了引起的溫度變化，我覺得他說的是平均溫度，我想知道電子束達到材料表面瞬時會不會引起高溫，導(dǎo)致退火偏析等，具體溫度會有多高。

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3樓2013-10-10 10:52:38

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4樓: Originally posted by gxytju2008 at 2013-10-10 14:44:58
跟材料，導(dǎo)電性都有關(guān)系，很難說的，我做過導(dǎo)電性比較好熔點在200度的材料，不會化

在文獻中大多提到的電子束效應(yīng)引起的溫度變化主要與樣品熱導(dǎo)率、電子劑量有關(guān)，引起的溫度變化也是非常小的，一般只有幾個k，我覺得這是平均溫度，但是電子束作用點下的瞬時溫度是多大，會不會引起沸點比較小的樣品蒸發(fā)，如分析沸點小的包裹體，打下去會不會就揮發(fā)消失了，如果會，電子束劑量需要達到多大？

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5樓2013-10-10 16:52:31

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沒有關(guān)注過，不過樓主換個思路從電子束蒸發(fā)的相關(guān)文獻入手可能獲得更多的信息！

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7樓2013-10-13 11:09:38

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大家有沒有見過，樣品在掃描時樣品在變化，比如出現(xiàn)微納裂紋、微納結(jié)構(gòu)的坍塌，微納裂縫增大等等，這些現(xiàn)象怎么解釋，是電子束溫度效應(yīng)嗎，還是其他原因？？？？

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8樓2015-04-24 22:00:07

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8樓: Originally posted by 806860356 at 2015-04-24 22:00:07
大家有沒有見過，樣品在掃描時樣品在變化，比如出現(xiàn)微納裂紋、微納結(jié)構(gòu)的坍塌，微納裂縫增大等等，這些現(xiàn)象怎么解釋，是電子束溫度效應(yīng)嗎，還是其他原因？？？？

很常見，解釋要看情況，你樣品導(dǎo)電性很好，就要考慮是不是有電子束效應(yīng)，導(dǎo)電不好，就有可能是溫度，或者就是含水啥的氣化一類的，綜合分析

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9樓2015-04-24 23:01:07

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9樓: Originally posted by gxytju2008 at 2015-04-24 23:01:07
很常見，解釋要看情況，你樣品導(dǎo)電性很好，就要考慮是不是有電子束效應(yīng)，導(dǎo)電不好，就有可能是溫度，或者就是含水啥的氣化一類的，綜合分析...

塑料樣品，聚乙烯(熔點100多)，有鍍金，這種情況是不是高溫效應(yīng)!

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10樓2015-04-25 13:50:07

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