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[交流]
穿越費米能級的雜質帶的性質討論
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以GaAS摻雜Mn 6.25%為例。Mn會引入一個空穴。 費米能級設置為零,自旋向上態(tài),在Gamma點會有三條能帶穿越費米面0.2eV左右。 那么這三條能帶是有3個電子占據(jù),還是2個電子占據(jù)? 若是2個電子占據(jù),是不是有一條能帶被空穴占據(jù)? 一般來說,基態(tài)下費米面以上無電子,但是我畫Ef+0.2eV的能量范圍的電荷密度,是有電荷分布的。 那么,穿越費米面部分的能級,是有電子存在,還是無電子存在?若無電子存在,是否表示該處為空穴? 如果無電子存在,為什么能畫出電荷密度? |
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在周期性勢場和單電子近似下,平移算符和哈密頓量對易,因此電子本征態(tài)可以取這兩個算符共同本征態(tài),寫成|n,k>的形式,對應的能量本征值寫成Enk。n代表哈密頓量,k代表平移算符,和氫原子波函數(shù)|n,l,m>意義類似,區(qū)別在于所選的力學量完全集不同。 某條能帶對應的能帶圖,實際上是固定E(n,k)的n對k作圖所得的圖像。簡約布里淵區(qū)中k點數(shù)目等于重復單元數(shù),由于宏觀晶體重復單元非常多,因此k點非常密集,呈現(xiàn)準連續(xù)狀態(tài)。 對于能帶圖上每一個點(n,k),若不考慮自旋都可容納兩個電子。因此每一條能帶能容納的電子數(shù)量非常多,不可能只被兩三個電子占據(jù)。 至于費米能級之上有電荷分布那個問題,可能畫的是波函數(shù)的空間分布而不是總電荷密度。對于每一個導帶上每個k點對應的波函數(shù)都能畫出空間分布,但總電荷密度卻不包含它。 |
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