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XPS光電子能譜分析之———濺射速度問題 已有1人參與
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大家好,請(qǐng)教一下問題。如題。 由于想去材料SiC表面以下的深度方向的分析,想看看表面下1um深度內(nèi)的化學(xué)成分變化。各位是如何求得濺射SiC的去除率的? 各位用什么 儀器?有什么建議? 謝謝。 |
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