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mametozx

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[求助] XPS光電子能譜分析之———濺射速度問(wèn)題已有1人參與

大家好，請(qǐng)教一下問(wèn)題。如題。
由于想去材料SiC表面以下的深度方向的分析，想看看表面下1um深度內(nèi)的化學(xué)成分變化。各位是如何求得濺射SiC的去除率的？
各位用什么儀器？有什么建議？
謝謝。

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1樓 2014-04-02 09:01:17

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dreampursuer

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你們都到哪里去做帶深度分析的XPS的？

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君子博學(xué)而日參醒乎己。

7樓2015-02-27 17:26:17

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gxytju2008

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mametozx: 金幣+2 2014-04-03 10:25:12

不太知道，標(biāo)準(zhǔn)濺射速率都是以二氧化硅為基礎(chǔ)做的，換成別的物質(zhì)都不是很準(zhǔn)，只能拿到一個(gè)大概的結(jié)果，可以先噴一個(gè)然后看掃描斷面校準(zhǔn)一下

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2樓2014-04-02 11:09:21

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引用回帖:

2樓: Originally posted by gxytju2008 at 2014-04-02 11:09:21
不太知道，標(biāo)準(zhǔn)濺射速率都是以二氧化硅為基礎(chǔ)做的，換成別的物質(zhì)都不是很準(zhǔn)，只能拿到一個(gè)大概的結(jié)果，可以先噴一個(gè)然后看掃描斷面校準(zhǔn)一下

既然別的物質(zhì)不很準(zhǔn)，那其他物質(zhì)深度分析時(shí)，如果知道物質(zhì)所在具體深度呢？另，您說(shuō)先鍍一個(gè)膜后做SEM斷面觀察校準(zhǔn)，，，不太理解，。
意思是把這個(gè)膜濺射掉，利用厚度與時(shí)間來(lái)算濺射速率？但在密閉的濺射環(huán)境中，無(wú)法知道具體什么時(shí)間被濺射掉的。這是一個(gè)問(wèn)題。

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3樓2014-04-03 10:28:25

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引用回帖:

3樓: Originally posted by mametozx at 2014-04-03 10:28:25
既然別的物質(zhì)不很準(zhǔn)，那其他物質(zhì)深度分析時(shí)，如果知道物質(zhì)所在具體深度呢？另，您說(shuō)先鍍一個(gè)膜后做SEM斷面觀察校準(zhǔn)，，，不太理解，。
意思是把這個(gè)膜濺射掉，利用厚度與時(shí)間來(lái)算濺射速率？但在密閉的濺射環(huán)境中 ...

。。。濺射很長(zhǎng)時(shí)間以后拿出來(lái)做SEM，時(shí)間是確定的，厚度可以測(cè)出來(lái)，準(zhǔn)確的話只能這樣了，一般情況只定性的話也不需要太準(zhǔn)的濺射深度

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4樓2014-04-03 10:30:00

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