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[求助]
XPS光電子能譜分析之———濺射速度問題 已有1人參與
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大家好，請教一下問題。如題。 由于想去材料SiC表面以下的深度方向的分析，想看看表面下1um深度內(nèi)的化學(xué)成分變化。各位是如何求得濺射SiC的去除率的？ 各位用什么 儀器？有什么建議？ 謝謝。 |
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gxytju2008
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4樓2014-04-03 10:30:00
gxytju2008
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2樓2014-04-02 11:09:21
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dreampursuer
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7樓2015-02-27 17:26:17
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