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莫愁_L新蟲 (小有名氣)
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光刻膠厚度如何影響特征長度,分別從電子光刻和光學(xué)光刻說明 已有1人參與
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作業(yè)求助 :光刻膠厚度如何影響特征長度,分別從電子光刻和光學(xué)光刻說明 |

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如果只考慮理論上光刻膠厚度增加,對不同光刻類型造成的影響,可以做如下解釋: 1. 電子束光刻:由于電子束在束斑位置進(jìn)入光刻膠后會由于電子互相排斥以及和原子碰撞的原因發(fā)生散射,電子束斑隨著光刻膠深度的增加而增加。在這一情況下,厚光刻膠的分辨率會隨著厚度的增加而下降。要點(diǎn)是電子束的散射。 2. 投影式光刻:投影式光刻都存在DOF,隨著光刻膠這一物面遠(yuǎn)離焦面,成像越來越模糊,分辨率迅速下降。當(dāng)光刻膠的厚度超過DOF以后,會有部分光刻膠處于離焦的狀態(tài),會使得成像不清晰。隨著光刻膠厚度的增加,分辨率會下降。要點(diǎn)是物面的離焦?fàn)顟B(tài)。 3. 接觸式光刻:和投影光刻不同,接觸式光刻沒有所謂的DOF,但是光刻的分辨率還是和光刻膠厚度相關(guān)的,隨著光刻膠厚度的增加,mask距離光刻膠厚度中間位置的距離越來越遠(yuǎn),衍射效應(yīng)帶來的成像模糊越來越嚴(yán)重,分辨率會下降。這個(gè)是有公式的,可以在光刻的書籍中找到。要點(diǎn)是厚度增加造成衍射嚴(yán)重。 這個(gè)題目設(shè)計(jì)的有它的其他問題 在IC工業(yè)領(lǐng)域中,最常用的都是薄光刻膠,光刻膠厚度對分辨率的影響直接表現(xiàn)為高寬比的極限,一般的光刻膠不會超過5:1,工藝中常常不會超過3:1。這個(gè)極限是由于光刻膠本身的物理機(jī)械性能決定的,和電子束光刻,光學(xué)光刻沒有關(guān)系。在實(shí)際應(yīng)用中,每個(gè)品種的光刻膠,都有對應(yīng)的厚度范圍,在這個(gè)范圍內(nèi),厚度對特征尺寸,也就是分辨率沒有任何影響,這就是光刻膠適用的工藝窗口。 你們老師估計(jì)是想討論,當(dāng)光刻膠厚度超出工藝窗口,對分辨率的影響,或者說他只是想讓你們了解純理論的結(jié)論。實(shí)際上在IC領(lǐng)域,對分辨率起決定因素的往往是光刻膠的物理機(jī)械性能,而不是厚度。因?yàn)楣饪棠z的分辨率極限是有相當(dāng)大的冗余的,工藝窗口內(nèi)的分辨率要小于光刻膠實(shí)際能達(dá)到的分辨率。光刻膠厚度增加,絕大部分情況下,仍然能夠達(dá)到工藝窗口內(nèi)的額定分辨率,只是因?yàn)榫條又窄又高,光刻膠本身承受不住這樣的結(jié)構(gòu),發(fā)生倒塌。 在IC的領(lǐng)域,基本上不用厚膠光刻,原因如上解釋,所以這個(gè)題目在IC領(lǐng)域的前提不成立。這個(gè)題目對厚膠光刻是成立的,而厚膠光刻的主要應(yīng)用領(lǐng)域是先進(jìn)封裝和mems。由于光刻應(yīng)用的多樣性,這樣的題目出出來,容易讓學(xué)生在以后的實(shí)踐中發(fā)生概念的混淆,不容易理解實(shí)際中各個(gè)工藝方法的限制和適用性。應(yīng)該再給學(xué)生講解的更深入,最好能夠具體的分析各種光刻的方法以及對應(yīng)的應(yīng)用。 |
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