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[求助]
有沒有濺射過IGZO靶材的 TFT方向 已有2人參與
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| 我最近在長有一層氮化硅的硅片上濺射IGZO，然后再蒸鍍一層鋁電極，因為氮化硅硅片是成品，所以想通過這種方式，測試一下什么樣的條件下，濺射的IGZO薄膜最好，才開始在不摻氧的情況下，功率30，40W，濺射時間半個小時的時候，有一丁點的效果，但是開啟電流大，且關不斷，最后趨于平行的直線，其他濺射時間長的都直接是直線。然后就想著摻氧，Ar:O2為3：1，10：1，時，都開不了，電流很小，就想著少摻些，然后查文獻，設功率為50W，真空度為0.5帕，Ar:O2為30：1，發(fā)現濺射時間40分鐘的時候有些效果，而且比沒有摻氧的效果要好一下，但是也有點關不斷。就想著再多濺射一會，然后又濺射了兩個片子，分別為60min,和80min，測試效果竟然都是直線，沒有一丁點場效應，為什么會這樣？到底是什么原因，一直長不好呢？濺射氧化鋅的時候，有場效應。濺射IGZO，怎么才能濺射好呢？ |
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 磁控濺射靶材資料大全 | 半導體技術 |
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3樓2014-06-19 10:11:16
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4樓2014-08-28 09:51:05
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5樓2015-12-29 10:05:46
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