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小珠珠alone新蟲 (初入文壇)
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[求助]
有沒有濺射過IGZO靶材的 TFT方向 已有2人參與
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| 我最近在長有一層氮化硅的硅片上濺射IGZO，然后再蒸鍍一層鋁電極，因?yàn)榈韫杵浅善�，所以想通過這種方式，測(cè)試一下什么樣的條件下，濺射的IGZO薄膜最好，才開始在不摻氧的情況下，功率30，40W，濺射時(shí)間半個(gè)小時(shí)的時(shí)候，有一丁點(diǎn)的效果，但是開啟電流大，且關(guān)不斷，最后趨于平行的直線，其他濺射時(shí)間長的都直接是直線。然后就想著摻氧，Ar:O2為3：1，10：1，時(shí)，都開不了，電流很小，就想著少摻些，然后查文獻(xiàn)，設(shè)功率為50W，真空度為0.5帕，Ar:O2為30：1，發(fā)現(xiàn)濺射時(shí)間40分鐘的時(shí)候有些效果，而且比沒有摻氧的效果要好一下，但是也有點(diǎn)關(guān)不斷。就想著再多濺射一會(huì)，然后又濺射了兩個(gè)片子，分別為60min,和80min，測(cè)試效果竟然都是直線，沒有一丁點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)，為什么會(huì)這樣？到底是什么原因，一直長不好呢？濺射氧化鋅的時(shí)候，有場(chǎng)效應(yīng)。濺射IGZO，怎么才能濺射好呢？ |
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 磁控濺射靶材資料大全 | 半導(dǎo)體技術(shù) |
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5樓2015-12-29 10:05:46
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