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janet2012222金蟲 (小有名氣)
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[交流]
感覺VASP計算缺陷存在很大問題
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最近我用VASP在重復一篇鹽巖結構的TiN因為缺陷在Ti3N4的時候由金屬性轉變?yōu)榻^緣體的情況。一個晶胞去掉一個鈦原子形成Ti3N4，用VASP不加對成性進行優(yōu)化，無論使用或不使用LDA+U都得不到金屬性質。后來發(fā)現(xiàn)VASP的離子弛豫（ISIF=3)之后，原子位置和晶胞參數(shù)（角度一直是90度）幾乎不發(fā)生改變，也就是結構扭曲很小。而文獻用FLAPW方法LDA+U計算得到的結構比較扭曲，是半導體性質。而我用CASTEP和Dmol3優(yōu)化結構很明顯扭曲但也不是半導體性質。 我懷疑過自己參數(shù)設置有問題，但經過老師檢查參數(shù)設置沒問題。進過一年多VASP的學習，我覺得VASP在優(yōu)化缺陷方面真的不好。也許我計算時又很多不足。在這里請教大家是怎么做到讓離子充分弛豫的。 |
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oxox6085
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3樓2014-04-23 14:29:52
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4樓2014-04-23 16:37:09
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
janet2012222: 金幣+1, 我感覺CASTEP最靠譜。 2014-04-24 08:55:35
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
janet2012222: 金幣+1, 我感覺CASTEP最靠譜。 2014-04-24 08:55:35
| 個人認為，第一性原理用密度泛函理論的軟件中，vasp是最靠譜的。你的缺陷優(yōu)化不出來，不是vasp做缺陷不好，而是你的模型真的不好說。這么高的濃度，那么缺陷和缺陷之間的相互作用也太大了，你是要研究它們之間的相互作用嗎？這種情況下，超包是必須的。至于你用其他軟件優(yōu)化說能得到你想要的，我想你的參數(shù)更精細。還有FLAPW是全電子勢軟件，它不要太多的原子就能模擬大體系，也不可能計算太多的原子。這篇文章的參雜濃度這么高，也不知道怎么通過審稿的。 |
6樓2014-04-24 08:23:00
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