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夜空守望者2金蟲 (小有名氣)
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[求助]
為什么利用Stober法制得的納米SiO2表面含有大量的硅羥基 已有1人參與
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| 請問各位蟲友,為什么利用Stober法制得的納米SiO2表面含有大量的硅羥基,接枝率怎么通過熱重曲線計算,還有類似Stober法這種比較經(jīng)典的制備核殼結(jié)構(gòu)的SiO2的方法,求指教。文獻(xiàn)可以給我鏈接,謝謝啦 |
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個人覺得您的問題問得不對吧?難道你用其他方法制備的氧化硅球在溶液當(dāng)中表面就沒有硅羥基么? 個人認(rèn)為一般的物質(zhì)在自然界中表面都會出現(xiàn)一定的氧化層,而在堿性溶液中會在氧化層的表面出現(xiàn)羥基.這個現(xiàn)在不僅在氧化硅中存在,在其他的金屬氧化物當(dāng)中也會存在的,譬如氧化鐵,氧化鈦等. |
金蟲 (小有名氣)
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因?yàn)檠趸桀愃朴诮饘傺趸镌跇O性溶劑中會吸附溶劑中的氫離子或者氫氧根離子。一般情況下,金屬氧化物表層具有兩親性質(zhì),雖體系pH值的不同,會使得分散相體系中的粒子表面帶有不同的電荷。凡經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)用凝聚法(stober法)制得的溶膠(這里指氧化硅粒子),電荷來源于離子的選擇吸附。那你可以想想,stober法制備膠體微粒的時候,反應(yīng)體系是什么樣的pH環(huán)境啊? 至于您說的XPS能譜分析,我因?yàn)槭歉叻肿硬牧系,并沒有這方面的研究,但是我知道在做XPS時,H, He這兩個元素是不能夠被檢測到的。您需要從基本理論上理解一下XPS哦!嗬嗬 |
金蟲 (小有名氣)
金蟲 (小有名氣)
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