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夜空守望者2金蟲 (小有名氣)
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[求助]
為什么利用Stober法制得的納米SiO2表面含有大量的硅羥基 已有1人參與
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| 請問各位蟲友,為什么利用Stober法制得的納米SiO2表面含有大量的硅羥基,接枝率怎么通過熱重曲線計算,還有類似Stober法這種比較經(jīng)典的制備核殼結(jié)構(gòu)的SiO2的方法,求指教。文獻可以給我鏈接,謝謝啦 |
金蟲 (小有名氣)
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個人覺得您的問題問得不對吧?難道你用其他方法制備的氧化硅球在溶液當中表面就沒有硅羥基么? 個人認為一般的物質(zhì)在自然界中表面都會出現(xiàn)一定的氧化層,而在堿性溶液中會在氧化層的表面出現(xiàn)羥基.這個現(xiàn)在不僅在氧化硅中存在,在其他的金屬氧化物當中也會存在的,譬如氧化鐵,氧化鈦等. |
金蟲 (小有名氣)
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因為氧化硅類似于金屬氧化物在極性溶劑中會吸附溶劑中的氫離子或者氫氧根離子。一般情況下,金屬氧化物表層具有兩親性質(zhì),雖體系pH值的不同,會使得分散相體系中的粒子表面帶有不同的電荷。凡經(jīng)過化學反應(yīng)用凝聚法(stober法)制得的溶膠(這里指氧化硅粒子),電荷來源于離子的選擇吸附。那你可以想想,stober法制備膠體微粒的時候,反應(yīng)體系是什么樣的pH環(huán)境? 至于您說的XPS能譜分析,我因為是高分子材料的,并沒有這方面的研究,但是我知道在做XPS時,H, He這兩個元素是不能夠被檢測到的。您需要從基本理論上理解一下XPS哦!嗬嗬 |
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