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夜空守望者2金蟲 (小有名氣)
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[求助]
為什么利用Stober法制得的納米SiO2表面含有大量的硅羥基 已有1人參與
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| 請問各位蟲友,為什么利用Stober法制得的納米SiO2表面含有大量的硅羥基,接枝率怎么通過熱重曲線計算,還有類似Stober法這種比較經(jīng)典的制備核殼結(jié)構(gòu)的SiO2的方法,求指教。文獻可以給我鏈接,謝謝啦 |
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個人覺得您的問題問得不對吧?難道你用其他方法制備的氧化硅球在溶液當中表面就沒有硅羥基么? 個人認為一般的物質(zhì)在自然界中表面都會出現(xiàn)一定的氧化層,而在堿性溶液中會在氧化層的表面出現(xiàn)羥基.這個現(xiàn)在不僅在氧化硅中存在,在其他的金屬氧化物當中也會存在的,譬如氧化鐵,氧化鈦等. |
金蟲 (小有名氣)
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