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neaper新蟲 (初入文壇)
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[求助]
單晶EBSD結(jié)果密集的小角度取向差能代表小角度晶界嗎?能否用此統(tǒng)計(jì)位錯(cuò)密度? 已有2人參與
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| 對(duì)EBSD不是很熟悉,請(qǐng)教高手,對(duì)于單晶平表面壓入變形后壓坑區(qū)域周圍EBSD結(jié)果局部集中了較多的小角度取向差(小于10度),這個(gè)小角度取向差能代表小角度晶界嗎?能否用這樣的EBSD結(jié)果統(tǒng)計(jì)位錯(cuò)密度?求指教? |
新蟲 (初入文壇)
| EBSD角分辨率有限,在分析小角晶界時(shí)必須小心設(shè)備的精度問(wèn)題,根據(jù)別人報(bào)道的研究結(jié)果,把低于2度以下的結(jié)果去掉似乎可以得到合理的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。利用EBSD的結(jié)果計(jì)算位錯(cuò)密度必須非常小心,因?yàn)橛?jì)算中是要用到KAM或者是相鄰像素之間的取向差,這一參數(shù)受掃描步長(zhǎng)的影響明顯,此外電鏡的聚焦?fàn)顟B(tài)、樣品狀態(tài)、實(shí)驗(yàn)參數(shù)設(shè)置(例如CCD分辨率,Hough transformation resolution)也會(huì)影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。總之,細(xì)致嚴(yán)謹(jǐn)可靠的實(shí)驗(yàn)是進(jìn)行位錯(cuò)密度計(jì)算的前提。 |
新蟲 (初入文壇)
鐵蟲 (初入文壇)
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