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baswen

木蟲 (正式寫手)

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專業(yè): 光子與光電子器件

[求助] MEMS器件材料的工藝參數(shù)經(jīng)驗(yàn)值

求助各位大神：
我使用COMSOL軟件仿真一款MEMS器件，具體問題是仿真真空密閉腔內(nèi)器件的吸附電壓。器件的上電極材料是Au，厚度1um，器件的薄膜材料是非晶硅，器件的絕緣層材料是SiNx，直接與下電極聯(lián)通。希望大神告知的經(jīng)驗(yàn)值參數(shù)如下：
Au薄膜態(tài)：相對介電常數(shù)（我曾查到蟲友分享的一篇金納米粒子的相對介電常數(shù)，竊以為與我的情況不太合適。。。）
非晶硅：楊氏模量、泊松比、密度、相對介電常數(shù)、聲速
SiNx：楊氏模量、泊松比、密度、相對介電常數(shù)、聲速
由于這些都是工藝步驟確定的，小弟不太熟悉工藝，故無法確定這些仿真必須的參數(shù)。如有大神善意告知并指點(diǎn)一二，必將金幣雙手奉上！不勝感激！

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311求調(diào)劑已經(jīng)有5人回復(fù)

1樓 2014-10-20 11:46:46

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