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化學(xué)刻蝕法刻硅納米線 已有2人參與
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大家好: 我在用化學(xué)刻蝕法做硅納米線,原來(lái)用的刻蝕液為0.035mol/L的AgNO3溶液與20wt%的HF酸的混合液,常溫刻蝕3h,以前的硅片電阻率<0.1Ω•cm,濃硝酸去銀后可以刻出硅納米線,現(xiàn)在買的新硅片其他的參數(shù)都一樣就是電阻率變小了為0.001-0.005,在放在濃硝酸里去銀時(shí)把硅片炸出來(lái)了,稀釋后再去銀的結(jié)果就是硅片上沒有線。請(qǐng)大家指導(dǎo)指導(dǎo)!不勝感激! |
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[考研] 334求調(diào)劑 +3 | 志存高遠(yuǎn)意在機(jī)?/a> 2026-03-16 | 3/150 |
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[考博] 26申博 +4 | 八6八68 2026-03-16 | 4/200 |
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[考研] 274求調(diào)劑 +5 | 時(shí)間點(diǎn) 2026-03-13 | 5/250 |
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[考研] 求材料調(diào)劑 085600英一數(shù)二總分302 前三科235 精通機(jī)器學(xué)習(xí) 一志愿哈工大 +4 | 林yaxin 2026-03-12 | 4/200 |
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