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化學刻蝕法刻硅納米線 已有2人參與
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大家好: 我在用化學刻蝕法做硅納米線,原來用的刻蝕液為0.035mol/L的AgNO3溶液與20wt%的HF酸的混合液,常溫刻蝕3h,以前的硅片電阻率<0.1Ω•cm,濃硝酸去銀后可以刻出硅納米線,現(xiàn)在買的新硅片其他的參數(shù)都一樣就是電阻率變小了為0.001-0.005,在放在濃硝酸里去銀時把硅片炸出來了,稀釋后再去銀的結(jié)果就是硅片上沒有線。請大家指導指導!不勝感激! |
新蟲 (正式寫手)
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銅蟲 (初入文壇)
銅蟲 (初入文壇)
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