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[求助] charged systems (electrostatic interaction修正) 已有1人參與

本人初學(xué)VASP,最近遇到了一個(gè)非常棘手的問(wèn)題（計(jì)算charged defects的corrections,進(jìn)而得到氧空位的形成能）。想請(qǐng)萬(wàn)能的木蟲(chóng)們指點(diǎn)指點(diǎn)。
看了一些文獻(xiàn)，也看了VASP手冊(cè)總結(jié)如下（如有錯(cuò)誤，請(qǐng)大家批評(píng)指正！）
1. VASP的計(jì)算過(guò)程大致是：       （ http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... LDIPOL_EPSILON.html）
   step1,先要計(jì)算體系的介電常數(shù) LEPSILON = .TRUE.
   step2, LDIPOL = .TRUE. (LMONO = .TRUE)
               DIPOL= center of mass
               IDIPOL = 1-4
2.不怎么明白LDIPOL和LMONO的區(qū)別是什么。（只知道是單極和偶極子的區(qū)別）

3.以前計(jì)算含有氧空位的體系時(shí)，如果超包比較大，能量總是不好收斂。我估摸著也與此有關(guān)。大家有解決的方法嗎？

4.我最主要的目的是計(jì)算charged defect的formation energy，我學(xué)習(xí)的是附件的一片文獻(xiàn)。但是不大明白。還請(qǐng)蟲(chóng)友們提點(diǎn)！

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附件 1 : Phys._Rev_Lett._102._016402_(2009)_Fully_Ab_Initio_Finite-Size_Corrections_for_Charged-Defect_Supercell_Calculations.pdf

2015-04-29 15:45:57, 183.36 K

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1樓 2015-04-29 15:46:39

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ljw4010: 金幣+2, 謝謝交流！ 2015-04-30 20:39:46

不好收斂，可以逐步增大所帶電量，并讀取小電量的波函數(shù)，這樣，能夠改進(jìn)收斂。

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2樓2015-04-29 16:22:06

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引用回帖:

2樓: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 16:22:06
不好收斂，可以逐步增大所帶電量，并讀取小電量的波函數(shù)，這樣，能夠改進(jìn)收斂。

您說(shuō)的是，先在INCAR里面將NELECT參數(shù)設(shè)置成較小的值？

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3樓2015-04-29 19:48:25

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djh434325996: 金幣+10, ★★★很有幫助 2015-04-29 21:24:21

引用回帖:

3樓: Originally posted by djh434325996 at 2015-04-29 19:48:25
您說(shuō)的是，先在INCAR里面將NELECT參數(shù)設(shè)置成較小的值？...

對(duì)�？梢约臃�?jǐn)?shù)電荷的，電荷可以一點(diǎn)點(diǎn)的加上去，在讀以前的波函數(shù)，就OK了。

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4樓2015-04-29 21:23:24

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4樓: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 21:23:24
對(duì)。可以加分?jǐn)?shù)電荷的，電荷可以一點(diǎn)點(diǎn)的加上去，在讀以前的波函數(shù)，就OK了。...

恩，明白了。你做過(guò)類(lèi)似的計(jì)算？一般從多少個(gè)電子開(kāi)始，步漲多少比較合適。結(jié)構(gòu)優(yōu)化和自洽都可以用這種方法嗎？

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5樓2015-04-29 21:28:40

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5樓: Originally posted by djh434325996 at 2015-04-29 21:28:40
恩，明白了。你做過(guò)類(lèi)似的計(jì)算？一般從多少個(gè)電子開(kāi)始，步漲多少比較合適。結(jié)構(gòu)優(yōu)化和自洽都可以用這種方法嗎？...

具體體系，我做過(guò)石墨烯中單點(diǎn)缺陷，直接用載流子摻雜，調(diào)制電子結(jié)構(gòu)的。
我加的比較慢，每次加了0.02 e，這樣累計(jì)加 1.6 e.

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6樓2015-04-29 22:58:40

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6樓: Originally posted by vasp001 at 2015-04-29 22:58:40
具體體系，我做過(guò)石墨烯中單點(diǎn)缺陷，直接用載流子摻雜，調(diào)制電子結(jié)構(gòu)的。
我加的比較慢，每次加了0.02 e，這樣累計(jì)加 1.6 e....

7樓2015-04-30 11:43:31

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