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djh434325996木蟲 (小有名氣)
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[求助]
charged systems (electrostatic interaction修正) 已有1人參與
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本人初學VASP,最近遇到了一個非常棘手的問題(計算charged defects的corrections,進而得到氧空位的形成能)。想請萬能的木蟲們指點指點。 看了一些文獻,也看了VASP手冊總結如下(如有錯誤,請大家批評指正!) 1. VASP的計算過程大致是: ( http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp ... LDIPOL_EPSILON.html) step1,先要計算體系的介電常數(shù) LEPSILON = .TRUE. step2, LDIPOL = .TRUE. (LMONO = .TRUE) DIPOL= center of mass IDIPOL = 1-4 2.不怎么明白LDIPOL和LMONO的區(qū)別是什么。(只知道是單極和偶極子的區(qū)別) 3.以前計算含有氧空位的體系時,如果超包比較大,能量總是不好收斂。我估摸著也與此有關。大家有解決的方法嗎? 4.我最主要的目的是計算charged defect的formation energy,我學習的是附件的一片文獻。但是不大明白。還請蟲友們提點! |
金蟲 (正式寫手)

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木蟲 (小有名氣)
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