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wwj_0905銀蟲 (正式寫手)
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[交流]
SEM測表面形貌的問題
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大家好，我想請問一個SEM的問題。 假如我用AB兩個材料混在一起制成了膜，去測試SEM，那么請問最終測得的表面形貌，它是對AB兩個材料導(dǎo)電性能對比度更加敏感，還是對整個膜的表面凹凸更為敏感呢？換而言之，我看到的是A和B互相共混的結(jié)構(gòu)還是AB膜的表面的結(jié)構(gòu)呢？ 還有另外一個問題就是，我昨天看到有的帖子說，如果表層膜薄，而電壓過高，會導(dǎo)致這層膜被穿透，從而測得的是基底的信息，我想請問這種說法對不對？如果表面的薄膜壓根不導(dǎo)電，得到的信息會是什么呢？ 非常感謝。 |
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至尊木蟲 (著名寫手)
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
wwj_0905: 金幣+1 2015-06-19 06:35:14
小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
wwj_0905: 金幣+1 2015-06-19 06:35:14
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7樓說的挺好的。我說的再直白些。不知道你做SEM究竟想看什么。對SEM來說一般是通過二次電子提供的是表面形貌。如果想看兩種材料的分散情況的話，建議用背散射電子，簡單來說就是原子量大的地方就會量些，小的就會暗些。 至于你說的那個穿透問題，一般來說是必太考慮這個問題的，除非膜特別薄會混入部分基底信息。如果擔(dān)心會受基底影響就把電壓調(diào)低些，拿碳做例子，1KV下電子透過的深度僅為幾十個納米；當(dāng)高達(dá)15KV時，深度可能會超過1個微米。 |
8樓2015-06-18 23:38:19
3樓2015-06-18 20:20:00
wwj_0905
銀蟲 (正式寫手)
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4樓2015-06-18 20:32:54
5樓2015-06-18 21:26:21
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