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wwj_0905銀蟲 (正式寫手)
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[交流]
SEM測表面形貌的問題
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大家好，我想請(qǐng)問一個(gè)SEM的問題。 假如我用AB兩個(gè)材料混在一起制成了膜，去測試SEM，那么請(qǐng)問最終測得的表面形貌，它是對(duì)AB兩個(gè)材料導(dǎo)電性能對(duì)比度更加敏感，還是對(duì)整個(gè)膜的表面凹凸更為敏感呢？換而言之，我看到的是A和B互相共混的結(jié)構(gòu)還是AB膜的表面的結(jié)構(gòu)呢？ 還有另外一個(gè)問題就是，我昨天看到有的帖子說，如果表層膜薄，而電壓過高，會(huì)導(dǎo)致這層膜被穿透，從而測得的是基底的信息，我想請(qǐng)問這種說法對(duì)不對(duì)？如果表面的薄膜壓根不導(dǎo)電，得到的信息會(huì)是什么呢？ 非常感謝。 |
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wwj_0905
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如果你的材料不導(dǎo)電，通常制樣時(shí)會(huì)在表面濺鍍一層導(dǎo)電的金或鉑金，一般不把導(dǎo)電性作為襯度（對(duì)比度）的主要來源。 SEM最常用的檢測器是二次電子檢測器，對(duì)表面形貌信息更敏感。當(dāng)表面基本沒有形貌起伏時(shí)，也能體現(xiàn)出微弱的成分襯度，根據(jù)表面成分的原子序數(shù)不同而有明暗差別。 如果想強(qiáng)化成份襯度，則可采用背散射電子檢測器（沒有二次電子監(jiān)測器那么普及），對(duì)表面成分的原子序數(shù)的不同更敏感，當(dāng)成分差別不大時(shí)，也會(huì)顯現(xiàn)出形貌襯度。 也就是說，SEM圖像，不管是二次電子像還是背散射電子像，都是形貌襯度和成分襯度的混合，只是前者以形貌為主，后者以成分為主，這里的“成分”指原子序數(shù)。 至于“穿透”，是指電子束進(jìn)入樣品后的散射擴(kuò)散，電壓越高，樣品原子序數(shù)越小，則電子的穿透深度越大，跟導(dǎo)電性關(guān)系不大。對(duì)于SEM常用的二次電子檢測器，通常電子有效的“穿透”深度只有幾納米至十幾納米，而太深入的電子由于激發(fā)出的二次電子逃不出表面，不能被檢測到。 如果擔(dān)心樣品內(nèi)部或這基底信息被打出來，可以用較小的加速電壓。如果就是想看內(nèi)部信息，如果導(dǎo)電性夠好，可以用較高的加速電壓，或者加電壓的同時(shí)采用背散射電子檢測器。如果導(dǎo)電性差，就不要加電壓了，加速電壓越高，電荷累積會(huì)越嚴(yán)重。 如果樣品不導(dǎo)電，由于電荷的累積，進(jìn)入樣品，沒有被導(dǎo)走的電子會(huì)形成電場，排斥新來的入射電子，造成異常的襯度，通常得不到有用的信息，是需要避免的。 |
7樓2015-06-18 23:12:00
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7樓說的挺好的。我說的再直白些。不知道你做SEM究竟想看什么。對(duì)SEM來說一般是通過二次電子提供的是表面形貌。如果想看兩種材料的分散情況的話，建議用背散射電子，簡單來說就是原子量大的地方就會(huì)量些，小的就會(huì)暗些。 至于你說的那個(gè)穿透問題，一般來說是必太考慮這個(gè)問題的，除非膜特別薄會(huì)混入部分基底信息。如果擔(dān)心會(huì)受基底影響就把電壓調(diào)低些，拿碳做例子，1KV下電子透過的深度僅為幾十個(gè)納米；當(dāng)高達(dá)15KV時(shí)，深度可能會(huì)超過1個(gè)微米。 |
8樓2015-06-18 23:38:19
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9樓2015-06-19 06:31:39
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10樓2015-06-19 06:33:25
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