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Tao9186銀蟲 (初入文壇)
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CVD沉積溫度 已有2人參與
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| CVD中一般說的沉積溫度是指氣體溫度還是基片溫度? |
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銀蟲 (初入文壇)
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pecvd一般溫度比較低,有些人會用lift-off來做氮化硅薄膜的圖形化,所以對溫度要求就很可以苛刻,所以累積溫度一般不會超過110℃,當(dāng)然溫度越高生長速度越快,薄膜也越致密 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
金蟲 (正式寫手)
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