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什么設(shè)備長二氧化硅質(zhì)量好且厚度可控(超材料介質(zhì)層) 已有2人參與
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大家好~ 我想要在金上長二氧化硅,需要致密性好一些,厚需要20㎚,長出來差別在1-2nm以內(nèi),請問什么設(shè)備比較適合? 有電子束蒸發(fā):100℃,老師說厚度可控,均勻,但是質(zhì)量不太好。 PECVD:致密,均勻性不如電子束蒸發(fā),厚度也難控制。 還有就是ICPCVD:這個溫度也低,長的估計也不好。厚度比PECVD可調(diào)一些。 二氧化硅是用作超材料的介質(zhì)層。 [ 發(fā)自手機(jī)版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
至尊木蟲 (著名寫手)
我就是餃子,我為自己代言。

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