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jugengfans金蟲 (正式寫手)
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[交流]
vasp中畫Partial Charge的問題!感覺比較嚴(yán)重 已有6人參與
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partial charge有三種畫法,其中一種是設(shè)置一個(gè)能量范圍,畫出這個(gè)能量范圍內(nèi)的電荷密度。這個(gè)能量是從你設(shè)置的值到費(fèi)米能級的,如: ISTART = 1 (job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const) LPARD=.TRUE. NBMOD=-3 EINT = -1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 上面的init參數(shù)就表示是畫從費(fèi)米能下-1eV開始,到費(fèi)米能的全部電子態(tài)的電荷密度。 問題來了! 1.因?yàn)槲覀兯鉨and的時(shí)候,K點(diǎn)并沒有均勻撒在全空間,所以算能帶時(shí)得到的費(fèi)米能級,和自洽計(jì)算的時(shí)候是不同的! 比如費(fèi)米能在自洽計(jì)算的時(shí)候是3eV,在計(jì)算band的時(shí)候就變成了2eV 那么,在這種畫能帶的方法中,程序肯定是按照錯(cuò)誤的費(fèi)米能級來給能量范圍的,這樣畫出來不就沒意義了嗎。 那這個(gè)方法有什么存在價(jià)值呢。 2.另外,突然覺得某條能帶所對應(yīng)的電荷密度也是有問題的。因?yàn)樗褪前涯阍贙points里面列的那幾個(gè)點(diǎn)所對應(yīng)的電荷密度加起來了! 那如果你的line mode路徑偏重于某一個(gè)方向,重復(fù)走了好幾次,而某些方向走了一次,那這個(gè)時(shí)候總電荷密度就會(huì)偏向體現(xiàn)重復(fù)走的那些路徑! 這樣一來,感覺只有分析能帶N上的單個(gè)K點(diǎn)所對應(yīng)的電荷密度才有意義。 也就是說,LSEPB=.FALSE, LSEPK=.FALSE 讓程序把每個(gè)K點(diǎn)單獨(dú)存放成CHGCAR比較有意義。 大家覺得呢。 當(dāng)然,如果事先確定一條帶是由某個(gè)原子周圍電子態(tài)產(chǎn)生的,把整個(gè)能帶的合電荷密度畫出來以證明這點(diǎn),這是可以的。 |
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版主 (著名寫手)

金蟲 (正式寫手)
金蟲 (正式寫手)
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