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jugengfans金蟲 (正式寫手)
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[交流]
vasp中畫Partial Charge的問題!感覺比較嚴重 已有6人參與
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partial charge有三種畫法,其中一種是設置一個能量范圍,畫出這個能量范圍內的電荷密度。這個能量是從你設置的值到費米能級的,如: ISTART = 1 (job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const) LPARD=.TRUE. NBMOD=-3 EINT = -1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 上面的init參數(shù)就表示是畫從費米能下-1eV開始,到費米能的全部電子態(tài)的電荷密度。 問題來了! 1.因為我們算band的時候,K點并沒有均勻撒在全空間,所以算能帶時得到的費米能級,和自洽計算的時候是不同的! 比如費米能在自洽計算的時候是3eV,在計算band的時候就變成了2eV 那么,在這種畫能帶的方法中,程序肯定是按照錯誤的費米能級來給能量范圍的,這樣畫出來不就沒意義了嗎! 那這個方法有什么存在價值呢。 2.另外,突然覺得某條能帶所對應的電荷密度也是有問題的。因為它就是把你在Kpoints里面列的那幾個點所對應的電荷密度加起來了! 那如果你的line mode路徑偏重于某一個方向,重復走了好幾次,而某些方向走了一次,那這個時候總電荷密度就會偏向體現(xiàn)重復走的那些路徑! 這樣一來,感覺只有分析能帶N上的單個K點所對應的電荷密度才有意義。 也就是說,LSEPB=.FALSE, LSEPK=.FALSE 讓程序把每個K點單獨存放成CHGCAR比較有意義。 大家覺得呢。 當然,如果事先確定一條帶是由某個原子周圍電子態(tài)產(chǎn)生的,把整個能帶的合電荷密度畫出來以證明這點,這是可以的。 |
專家顧問 (著名寫手)
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專家經(jīng)驗: +20 |
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1.?????????band?????K????о??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????3eV???????band??????????2eV ?????????????????????У????????????????????????????????Χ??????????????????????????? ?????????????????????? > ??????????????????f?? ???^?@?? NBMOD= -3 ????????????????? band structure ?? partial charge decomposed ?? ?? band structure ?? partial charge ?? NBMOD = -2 ???^??? ???P? NBMOD = -3 ?????????e? ????~ ?????????? STM simulation |
版主 (著名寫手)

金蟲 (正式寫手)
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本帖內容被屏蔽 |
金蟲 (正式寫手)
銅蟲 (初入文壇)
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那請問,K點怎樣才能在K空間采樣完全?我最近計算的占據(jù)數(shù)就出現(xiàn)了誤差,麻煩請樓主給看看,請不吝賜教!http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=10442146&fpage=1 |
木蟲 (小有名氣)
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算能帶的時候不是把均勻k點和特殊路徑k點都要加進去嗎?而且后者的權重是0,對能帶的計算沒有影響,只在繪圖的時候有用 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
金蟲 (正式寫手)
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是這樣的。是我理解錯了。但是由于算能帶的時候要Ismear=0,對于一些原本適合Ismear=-5的材料,其展寬會影響到占據(jù)數(shù),從而影響費米面的位置。 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
金蟲 (正式寫手)
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謝謝回復。有人說計算band的時候即使是line mode,也會進行一個看不見的均勻撒點的。line mode里面設的K點不占權重。所以對費米能的影響僅僅是smearing=0和smearing=-5的區(qū)別 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
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