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jugengfans金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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vasp中畫(huà)Partial Charge的問(wèn)題!感覺(jué)比較嚴(yán)重 已有6人參與
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partial charge有三種畫(huà)法,其中一種是設(shè)置一個(gè)能量范圍,畫(huà)出這個(gè)能量范圍內(nèi)的電荷密度。這個(gè)能量是從你設(shè)置的值到費(fèi)米能級(jí)的,如: ISTART = 1 (job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const) LPARD=.TRUE. NBMOD=-3 EINT = -1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 上面的init參數(shù)就表示是畫(huà)從費(fèi)米能下-1eV開(kāi)始,到費(fèi)米能的全部電子態(tài)的電荷密度。 問(wèn)題來(lái)了! 1.因?yàn)槲覀兯鉨and的時(shí)候,K點(diǎn)并沒(méi)有均勻撒在全空間,所以算能帶時(shí)得到的費(fèi)米能級(jí),和自洽計(jì)算的時(shí)候是不同的! 比如費(fèi)米能在自洽計(jì)算的時(shí)候是3eV,在計(jì)算band的時(shí)候就變成了2eV 那么,在這種畫(huà)能帶的方法中,程序肯定是按照錯(cuò)誤的費(fèi)米能級(jí)來(lái)給能量范圍的,這樣畫(huà)出來(lái)不就沒(méi)意義了嗎! 那這個(gè)方法有什么存在價(jià)值呢。 2.另外,突然覺(jué)得某條能帶所對(duì)應(yīng)的電荷密度也是有問(wèn)題的。因?yàn)樗褪前涯阍贙points里面列的那幾個(gè)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電荷密度加起來(lái)了! 那如果你的line mode路徑偏重于某一個(gè)方向,重復(fù)走了好幾次,而某些方向走了一次,那這個(gè)時(shí)候總電荷密度就會(huì)偏向體現(xiàn)重復(fù)走的那些路徑! 這樣一來(lái),感覺(jué)只有分析能帶N上的單個(gè)K點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的電荷密度才有意義。 也就是說(shuō),LSEPB=.FALSE, LSEPK=.FALSE 讓程序把每個(gè)K點(diǎn)單獨(dú)存放成CHGCAR比較有意義。 大家覺(jué)得呢。 當(dāng)然,如果事先確定一條帶是由某個(gè)原子周?chē)娮討B(tài)產(chǎn)生的,把整個(gè)能帶的合電荷密度畫(huà)出來(lái)以證明這點(diǎn),這是可以的。 |
專(zhuān)家顧問(wèn) (著名寫(xiě)手)
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專(zhuān)家經(jīng)驗(yàn): +20 |
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1.?????????band?????K????о??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????3eV???????band??????????2eV ?????????????????????У????????????????????????????????Χ??????????????????????????? ?????????????????????? > ??????????????????f?? ???^?@?? NBMOD= -3 ????????????????? band structure ?? partial charge decomposed ?? ?? band structure ?? partial charge ?? NBMOD = -2 ???^??? ???P? NBMOD = -3 ?????????e? ????~ ?????????? STM simulation |
版主 (著名寫(xiě)手)
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贊,還沒(méi)有學(xué)到這里,不過(guò)等學(xué)了后來(lái)回帖 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |

金蟲(chóng) (正式寫(xiě)手)
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