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jugengfans金蟲 (正式寫手)
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[交流]
vasp中畫Partial Charge的問題！感覺比較嚴重 已有6人參與
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partial charge有三種畫法，其中一種是設置一個能量范圍，畫出這個能量范圍內(nèi)的電荷密度。這個能量是從你設置的值到費米能級的，如： ISTART = 1 （job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const） LPARD=.TRUE. NBMOD=-3 EINT = -1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 上面的init參數(shù)就表示是畫從費米能下-1eV開始，到費米能的全部電子態(tài)的電荷密度。 問題來了！ 1.因為我們算band的時候，K點并沒有均勻撒在全空間，所以算能帶時得到的費米能級，和自洽計算的時候是不同的！ 比如費米能在自洽計算的時候是3eV，在計算band的時候就變成了2eV 那么，在這種畫能帶的方法中，程序肯定是按照錯誤的費米能級來給能量范圍的，這樣畫出來不就沒意義了嗎��！ 那這個方法有什么存在價值呢。 2.另外，突然覺得某條能帶所對應的電荷密度也是有問題的。因為它就是把你在Kpoints里面列的那幾個點所對應的電荷密度加起來了！ 那如果你的line mode路徑偏重于某一個方向，重復走了好幾次，而某些方向走了一次，那這個時候總電荷密度就會偏向體現(xiàn)重復走的那些路徑！ 這樣一來，感覺只有分析能帶N上的單個K點所對應的電荷密度才有意義。 也就是說，LSEPB=.FALSE, LSEPK=.FALSE 讓程序把每個K點單獨存放成CHGCAR比較有意義。 大家覺得呢。 當然，如果事先確定一條帶是由某個原子周圍電子態(tài)產(chǎn)生的，把整個能帶的合電荷密度畫出來以證明這點，這是可以的。 |
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3樓2016-04-15 18:33:17
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4樓2016-04-16 10:28:26
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