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ATRP和RAFT,請大家暢所欲言~
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相信ATRP和RAFT是目前比較流行的可控活性高分子合成方法,但是經(jīng)常會出現(xiàn)這樣的情況:你用ATRP的時候別人問為什么不用RAFT;你用RAFT的時候別人又問為何不用ATRP。。。 本人是ATRP控,個人覺得ATRP的優(yōu)勢就是引發(fā)劑/催化劑/配體比較多樣化,可根據(jù)不同的需求進行選擇,而且基本上都可以直接買到。缺點就是單體種類有限,那些容易和配體反應(yīng)的單體就不適合,比如帶羧基的單體。另外銅的去除也比較麻煩,需要過柱子,如果有更高要求的話,還要透析。 請大家談?wù)勥@2種方法的優(yōu)缺點。。。最好說明自己習(xí)慣用哪一種 |
納米材料 | 有機+高分子+配位化學(xué)+科研+表征 | 涂料 | useful |
atrp | RAFT聚合-合成-單體 | ATRP聚合 | RAFT聚合 |
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ATRP控的一般原因是: 1.催化劑易得 2.相對于RAFT一般來講分子量分布會稍微窄一點 3.用量相對較少 不過同時面臨的問題是 1.可適用的單體相對于RAFT來講沒有那么廣泛,對于某些單體而言ATRP幾乎是無能為力,有的單體對其分子量分布的調(diào)控能力不好 2.對聚合的條件(無水無氧之類的)相對于RAFT要求更加嚴(yán)格 3.惱火的是合成完了后還要多一到工序把銅離子給除去,除不徹底就有問題了。 RAFT控的理由有 1.當(dāng)然是能適用相當(dāng)廣泛的單體了,這是能否得到聚合物的前提啊。 2.聚合條件相對而言沒有那么苛刻,水沒烘干(甚至有乳液聚合的),漏點氧氣有的時候貌似問題也不會太大,頂多分布指數(shù)會在小數(shù)點后第二位漲那么丁點。 3.最重要也是很容易被忽視的一點RAFT聚合是對聚合物末端官能化的一種很好的方法。 很多人當(dāng)然也說它的壞話了,包括有: 1.RAFT試劑要自己合成,臭。其實熟練的情況下一周就能搞定RAFT試劑,而且一勞永逸,臭能臭得過溶劑二硫化碳啊,帶個防毒面具就可以了。 2.分子量分布較ATRP相對會寬一點點,所以如果對這個要求很高,而兩種方法都適合的話,最好選擇ATRP。不過對于一些高手而言,RAFT的分子量分布也是相當(dāng)窄的。 3.用量并非催化劑級的,因此用量比ATRP試劑相對會多一點,想要多少摩爾的物質(zhì)就得仍多少摩爾的RAFT試劑。(這點其實還會帶來些問題,鏈轉(zhuǎn)移劑用得多要想合適的聚合速率就得增加引發(fā)劑的量,這個引發(fā)劑的量一增多就導(dǎo)致沒有活性(不能二次增長)的死均聚物比較多,麻煩事一個) 4.合成的聚合物如果分子量不是特別大的話,聚合物一般會有淺淺的顏色和一點點味道. 差異之處應(yīng)該還有很多很多,其中有點沒有去細(xì)查比較過,不知對于合成超高分子量的聚合物誰的能力會更高一點,在高分子量的時候誰的調(diào)控性更好?另外在一些特殊條件下如高溫,特粘體系等等誰的適用性更好?等待高人指點 [ Last edited by 很好很求是 on 2011-11-22 at 14:54 ] |
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不知道你是聚合什么單體,一般來講分子量倒不至于低到你說的這樣,做個幾萬的分子量是不成問題的。至于分子量分布,一般來講,自由基活性聚合其分布窄是統(tǒng)計意義上的,以此需要反應(yīng)到一定程度才能體現(xiàn)出來,所以在轉(zhuǎn)化率特別低的情況下可能會出現(xiàn)分布寬一點,然后隨著反應(yīng)的進行分布變窄,轉(zhuǎn)化率再增大就有可能由于各種原因?qū)е路植加肿儗捔恕?br /> RAFT聚合雖然單體的適用范圍特別廣,其實是指的RAFT聚合這種方法,而不是某一個RAFT試劑,因此用RAFT聚合的時候除非完全按照文獻(xiàn)做,否則應(yīng)該根據(jù)你聚合的單體選擇合適的RAFT試劑,改變R基團或者Z基團得到合適的鏈轉(zhuǎn)移常數(shù),如果RAFT試劑選擇不當(dāng),可能會出現(xiàn)要么調(diào)控效果不好、緩聚甚至阻聚等現(xiàn)象。 如果RAFT試劑選擇無誤的情況下還出現(xiàn)你描述的狀況,你就得考慮前面有蟲友給你提的意見引發(fā)劑與鏈轉(zhuǎn)移劑的比例,單體濃度是否合適了。 [ Last edited by 很好很求是 on 2011-11-23 at 09:40 ] |
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ATRP相對簡單,但是想合成嵌段聚合物的話末端的鹵族元素很難保證完全保留或完全掉掉,因此再繼續(xù)反應(yīng)很難提純 RAFT控制條件較容易得到末端均為鏈轉(zhuǎn)移劑的聚合物并一起作為大分子引發(fā)劑進行下一步反應(yīng),但是鏈轉(zhuǎn)移劑的合成較慢飯,同時raft反應(yīng)后又是比較難控制PDI,主峰前面通常會多一個小包峰 |















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