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vasp 中 NELECT的設(shè)置
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通常在研究帶電缺陷時,似乎我們都是通過設(shè)置NELECT來控制不同的價態(tài)。例如,如果要對氧空位的形成能Ef計算,我們都是通過NELECT的不同設(shè)置來模擬不同的"價態(tài)",然后比較形成能的大小來畫出費米能級---形成能的曲線。 現(xiàn)在,我想看看“外加”的一個電子在氧空位附近的局域情況(此時的體系是帶電的),以前我都是通過NELECT=電子數(shù)+1來模擬的。但是,最近我想了一下似乎有不妥。因為 A.我的本意是想引入一個外加電子(這時缺陷處的價態(tài)我是不知道的,有可能存在多種價態(tài),但我也不關(guān)心,我關(guān)心的只是這個外加電子的局域情況) B.但實際情況卻是,通過設(shè)置NELECT=電子數(shù)+1,缺陷處的價態(tài)固定為-1了(不知道我的理解對不對),這就與A中多種價態(tài)相矛盾 越想越矛盾,NELECT到底是干什么的,是我理解錯了嗎?到底該如何設(shè)置這個外加的電子,是不是VASP對于情況A無能為力 歡迎大家積極發(fā)表看法 |
帶電摻雜體系形成能 | vasp計算資料 | 第一性原理 | Photochemistry |
有效質(zhì)量 | vasp 第一性原理 |
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