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[求助]
vasp 中 NELECT的設(shè)置
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通常在研究帶電缺陷時(shí)，似乎我們都是通過設(shè)置NELECT來控制不同的價(jià)態(tài)。例如，如果要對(duì)氧空位的形成能Ef計(jì)算，我們都是通過NELECT的不同設(shè)置來模擬不同的"價(jià)態(tài)"，然后比較形成能的大小來畫出費(fèi)米能級(jí)---形成能的曲線。 現(xiàn)在，我想看看“外加”的一個(gè)電子在氧空位附近的局域情況（此時(shí)的體系是帶電的），以前我都是通過NELECT=電子數(shù)+1來模擬的。但是，最近我想了一下似乎有不妥。因?yàn)?br /> A.我的本意是想引入一個(gè)外加電子（這時(shí)缺陷處的價(jià)態(tài)我是不知道的，有可能存在多種價(jià)態(tài)，但我也不關(guān)心，我關(guān)心的只是這個(gè)外加電子的局域情況） B.但實(shí)際情況卻是，通過設(shè)置NELECT=電子數(shù)+1，缺陷處的價(jià)態(tài)固定為-1了（不知道我的理解對(duì)不對(duì)），這就與A中多種價(jià)態(tài)相矛盾 越想越矛盾，NELECT到底是干什么的，是我理解錯(cuò)了嗎？到底該如何設(shè)置這個(gè)外加的電子，是不是VASP對(duì)于情況A無能為力 歡迎大家積極發(fā)表看法 |
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3樓2012-05-31 18:33:40
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2樓2012-05-31 15:07:30
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4樓2012-05-31 18:48:33
5樓2012-05-31 19:14:59
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