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sarahzyp金蟲 (小有名氣)
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[求助]
[求助]磁控濺射設(shè)備中的強磁靶接射頻電源是否會對靶位造成損傷？
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我們用的是沈科儀的JGP-560B磁控濺射設(shè)備，曾經(jīng)自己改裝過，就是有一個強磁靶位本來接的是直流電源，改接成射頻電源，濺射SiN了兩三回，每次濺射約20分鐘，之后接回直流濺射鉬，濺射時間為1小時�，F(xiàn)在發(fā)現(xiàn)靶面有傷痕，不知道是哪次造成的，不知是否是射頻電源對靶位造成的損傷？還是直流濺射的時間太長了？強磁靶接射頻電源是否會對靶位造成損傷？ IMG_20120921_091837.jpg |
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想了解以下幾個問題： 1. 樓主所謂的靶面?zhèn)蹖?yīng)的是照片上什么位置？能否將鍍膜之前未有傷痕的靶面也貼出來對比一下？ 2. 改接射頻電源前是否測量過強磁靶的阻抗以及有否調(diào)匹配？ 一般說來，直流靶和射頻靶之間都是可以相互轉(zhuǎn)換的，而且既然你改接射頻源能夠起輝鍍膜，可見的確功率都加到了靶上！即使因為阻抗不匹配，最多也是射頻電源的反射功率比較大容易傷電源而已！個人不覺得傷痕是射頻源造成的！ |
2樓2012-09-21 12:56:28
3樓2012-09-21 13:53:37
shadowtiger
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5樓2012-09-24 08:29:16
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6樓2012-09-24 08:33:21
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【答案】應(yīng)助回帖
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較微弱的輝光說明功率還是能加到靶上面形成等離子體的，但多少就不好說了，有可能大部分消耗在導(dǎo)線上。我想再確定一下，射頻加的功率多大？鉬靶有沒有被擊穿？ 從你給的照片看，傷痕感覺就像靶上面被磁場轉(zhuǎn)彎加速的離子轟擊的痕跡，如果鉬靶沒有被擊穿，有可能是射頻功率大部分消耗在傳輸過程中，這樣你照片中的銅溫度本身就很高，加上你整個濺射過程中（射頻以及直流）鉬靶受離子轟擊區(qū)域傳導(dǎo)過來的熱量，可能讓銅出現(xiàn)變形。于是可以猜想，如果照片中的加載鉬靶的銅表面絕對水平的話，出現(xiàn)的不應(yīng)該是三段弧形，而應(yīng)該是一整個環(huán)形。 |
8樓2012-09-24 12:47:50
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10樓2012-10-08 21:49:44
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