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sarahzyp金蟲 (小有名氣)
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[求助]
[求助]磁控濺射設(shè)備中的強磁靶接射頻電源是否會對靶位造成損傷？
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我們用的是沈科儀的JGP-560B磁控濺射設(shè)備，曾經(jīng)自己改裝過，就是有一個強磁靶位本來接的是直流電源，改接成射頻電源，濺射SiN了兩三回，每次濺射約20分鐘，之后接回直流濺射鉬，濺射時間為1小時�，F(xiàn)在發(fā)現(xiàn)靶面有傷痕，不知道是哪次造成的，不知是否是射頻電源對靶位造成的損傷？還是直流濺射的時間太長了？強磁靶接射頻電源是否會對靶位造成損傷？ IMG_20120921_091837.jpg |
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sarahzyp
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9樓2012-10-07 09:52:01
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sarahzyp: 金幣+10, ★有幫助 2012-10-08 21:38:36
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想了解以下幾個問題： 1. 樓主所謂的靶面?zhèn)蹖?yīng)的是照片上什么位置？能否將鍍膜之前未有傷痕的靶面也貼出來對比一下？ 2. 改接射頻電源前是否測量過強磁靶的阻抗以及有否調(diào)匹配？ 一般說來，直流靶和射頻靶之間都是可以相互轉(zhuǎn)換的，而且既然你改接射頻源能夠起輝鍍膜，可見的確功率都加到了靶上！即使因為阻抗不匹配，最多也是射頻電源的反射功率比較大容易傷電源而已！個人不覺得傷痕是射頻源造成的！ |
2樓2012-09-21 12:56:28
3樓2012-09-21 13:53:37
shadowtiger
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4樓2012-09-22 21:25:34
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