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[求助]
收斂測(cè)試和結(jié)構(gòu)優(yōu)化
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使用CAStep的時(shí)候，建完模型之后需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，而選擇合適的參數(shù)又需要收斂測(cè)試 是不是收斂測(cè)試就是正交不同的參數(shù)計(jì)算單點(diǎn)能，畫趨勢(shì)圖呢？ 收斂測(cè)試后確定好參數(shù)再進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，那么結(jié)構(gòu)優(yōu)化好之后，測(cè)試好的參數(shù)在計(jì)算性能的過(guò)程中會(huì)不會(huì)又不收斂？ 收斂測(cè)試和結(jié)構(gòu)優(yōu)化那個(gè)先進(jìn)行呢？ |
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fzx2008: 金幣+4, 辛苦了 :) 2013-03-13 14:44:40
fzx2008: 金幣+4, 辛苦了 :) 2013-03-13 14:44:40
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以前看的帖子，不知道對(duì)樓主是否有幫助.... 收斂測(cè)試當(dāng)然是必要的，不然你怎么能確定你的參數(shù)是合理的呢。 之所以你會(huì)覺(jué)得“不同的截?cái)嗄芩愠鰜?lái)的能量也差不多” 是因?yàn)閏astep自己會(huì)根據(jù)你所選擇的贗勢(shì)、晶胞尺寸，來(lái)提供預(yù)設(shè)參數(shù)。選擇fine精度時(shí)，這些參數(shù)一般是可以滿足能量收斂性的。所以在這些參數(shù)附近測(cè)試，能量值自然變化不大，因?yàn)橐呀?jīng)收斂了。 但有兩個(gè)缺點(diǎn) 1.默認(rèn)參數(shù)可能精度不夠；尤其是涉及應(yīng)力的計(jì)算，比如力學(xué)性質(zhì)或晶格優(yōu)化，其需要對(duì)應(yīng)力進(jìn)行收斂測(cè)試，通常其對(duì)參數(shù)的要求要高于能量收斂測(cè)試。 2.默認(rèn)參數(shù)可能精度過(guò)高；對(duì)于小體系并沒(méi)有什么影響，但大體系則很明顯。因?yàn)榻財(cái)嗄芎蚹點(diǎn)數(shù)目的不同是可以成倍增加或減少計(jì)算量的，在大體系中可能會(huì)造成幾天的計(jì)算差別，所以花個(gè)幾小時(shí)找到適合的參數(shù)其實(shí)是很劃算的。 我說(shuō)的收斂就是“收斂性測(cè)試”里的收斂，并非某一次計(jì)算的時(shí)候scf的收斂；這是兩個(gè)概念，“收斂性測(cè)試”和幾何優(yōu)化是否成功是沒(méi)有關(guān)系的。 舉個(gè)例子，比如說(shuō)你用截?cái)嗄?00eV幾何優(yōu)化某個(gè)晶胞，得到晶格參數(shù)為3.0A，使用200eV優(yōu)化為3.1A，使用300eV為3.13A，使用400eV為3.14A...... 隨著截?cái)嗄懿粩嘣黾樱玫降木Ц駞?shù)逐收斂于某一數(shù)值，這個(gè)過(guò)程就是收斂測(cè)試。你要根據(jù)你的需要，比如你想讓精度達(dá)到0.01A，那就要使用400eV以上的截?cái)嗄�，如果是精�?.1A就夠，用200eV的截?cái)嗄芫涂梢粤恕?br /> 但上述這些優(yōu)化過(guò)程都是成功的，但并不代表其參數(shù)就是收斂的 順便帖一個(gè)自己測(cè)試模守恒贗勢(shì)的結(jié)果圖～擬合EOS可以使用ELK自帶的eos工具，所以整個(gè)過(guò)程只需要寫個(gè)腳本后等上一段時(shí)間來(lái)收數(shù)據(jù)和畫圖就足夠了（如果使用QE自帶的工具，由于ev.x屬于人機(jī)交互型的程序，需要人工干預(yù)，比較缺乏效率）～ 比較好的測(cè)試收斂的方法不是直接在一個(gè)結(jié)構(gòu)上調(diào)整cutoff計(jì)算，還是在取比較高的kpt之后，每個(gè)cutoff做一個(gè)EOS擬合，然后對(duì)比EOS擬合后的總能和晶格常數(shù)。這是因?yàn)閷?duì)于不同的cutoff，對(duì)應(yīng)的最低能量點(diǎn)也有很小量的偏移~ 首先取一個(gè)比較大的k點(diǎn)密度，這樣保證k點(diǎn)是足夠的。然后保持這個(gè)k點(diǎn)密度不變，對(duì)cutoff值做測(cè)試。具體的測(cè)試辦法是，對(duì)應(yīng)一個(gè)cutoff值，不斷的改變晶格常數(shù)的值，找到總能量和晶格常數(shù)的變化關(guān)系，然后利用下面的公式： 擬合出公式里面的V0和E0,這樣就得到了這個(gè)cutoff值對(duì)應(yīng)的V0和E0了。反復(fù)這樣測(cè)試，最后得到cutoff變化時(shí)V0和E0的變化了。從而找到一個(gè)收斂的cutoff值。是這樣的吧？ 公式中的B0和B0導(dǎo)數(shù)可以從程序輸出中得到是嗎？ 我想做這個(gè)分子吸附在表面上，所以我是不是該做表面的收斂測(cè)試，而不是分子的收斂測(cè)試。做好表面的收斂測(cè)試直接把分子加上就可以了吧 截?cái)嗄芪乙话愣际前凑諈⒖嘉墨I(xiàn)取的，你找一下類似的體系，看一下別人的設(shè)置（贗勢(shì)的類型也要和你一樣），這個(gè)取大一些肯定沒(méi)問(wèn)題，關(guān)鍵是k點(diǎn)要測(cè)試到收斂（以我的經(jīng)驗(yàn)，用參考文獻(xiàn)的值能夠確保收斂性，比如文獻(xiàn)提到的截?cái)嗄?50，k點(diǎn)5*5*5。我會(huì)測(cè)試一下截?cái)嗄?00,450,500，此時(shí)k點(diǎn)取文獻(xiàn)值。確定完截?cái)嗄芎螅僭噆點(diǎn)，比如4*4*4，5*5*5，6*6*6。你會(huì)發(fā)現(xiàn)確實(shí)是收斂的）。對(duì)于你算吸附，先做好表面的截?cái)嗄�、k點(diǎn)測(cè)試，把表面的結(jié)構(gòu)弛豫好，再加上要吸附的分子，再弛豫。因?yàn)槌谠シ肿又饕菫榱说玫椒肿幽芰�，�?jì)算吸附能。所以我覺(jué)得你沒(méi)必要用分子去測(cè)試截?cái)嗄堋Ｔ谕粋�(gè)計(jì)算中截?cái)嗄芤３忠恢�，一般氧的截�(cái)嗄鼙容^高，當(dāng)你的體系有氧的話，截?cái)嗄芤话闶?50或500。還有收斂性是看兩個(gè)計(jì)算的能量差值，不是看絕對(duì)大小的，樓主沒(méi)必要為此糾結(jié)，很容易解決的。 |
6樓2013-03-12 16:05:44
gy850501
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2樓2013-03-12 11:13:24
【答案】應(yīng)助回帖
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fzx2008: 金幣+3, 謝謝指導(dǎo) 2013-03-13 14:44:02
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1.一般來(lái)說(shuō)，像平面波截?cái)嗄軇?dòng)、k點(diǎn)網(wǎng)格等影響計(jì)算精度的關(guān)鍵參數(shù)，用單點(diǎn)能做測(cè)試即可。即，增加Ecut或者k點(diǎn)，體系的總能變化很小。 2.確定后的參數(shù)再進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化 3.MS比較簡(jiǎn)單，一般采取Fine的精度，用程序自己確定的參數(shù)計(jì)算即可。除一些有關(guān)磁性的計(jì)算外，一般都能很好的跟實(shí)驗(yàn)比較。 |
3樓2013-03-12 12:53:44
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7樓2013-03-12 16:35:52
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我看到有人說(shuō)先測(cè)試截?cái)嗄�，那么這時(shí)候固定的K怎么設(shè)置比較合適呢，大一點(diǎn)或者小一點(diǎn)？ 一般總能變化小到什么程度可作為收斂標(biāo)準(zhǔn)呢？ K point和cutoff具體怎么手動(dòng)自由設(shè)置？是在more里面嗎？ 你說(shuō)到磁性問(wèn)題，那么我想計(jì)算（Ni，Cr,Si）3Mo3C這個(gè)體系的形成能，要先計(jì)算Ni、Cr、Mo、Si這四種單質(zhì)材料的總能，收斂測(cè)試、優(yōu)化或計(jì)算性質(zhì)的時(shí)候，怎么考察磁性參數(shù)設(shè)置呢？spin polarized 和metal要不要選上 |
8樓2013-03-13 10:12:22
9樓2013-03-13 11:53:34
10樓2013-03-13 12:34:14
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