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求下面一段話的翻譯。。。。。實(shí)在弄不完了 謝謝
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Recently study showed that phonon transport within crystalline silicon can be significantly altered when crystalline silicon is confined to the nanometer range. This phenomenon can be explained by various effects such as the increase in boundary scattering, the change of phonon dispersion relation and the quantization of phonon transport [90]. Molecular dynamics simulations show that the thermal conductivities of nanometer wires could be two orders of magnitude smaller than that of bulk silicon. Li and co-workers have measured thermal conductivities for intrinsic singlecrystalline PSNA of different diameters (22, 37, 56, and 115 nm) shown in Fig. (4a) [10]. Compared to bulk silicon, all the SiNWs have two important features: (i) the measured thermal conductivities are about two orders of magnitude lower than that of the bulk. When the wire diameter is decreased, the corresponding thermal conductivity is reduced. This indicates that enhanced boundary scattering controls phonon transport in SiNWs; (ii) Thermal conductivities of the 37, 56, and 115 nm diameter wires reach their peak values around 210, 160, and 130 K, respectively. This is in sharp contrast to the peak of bulk Si which occurs at about 25 K. As the wire diameter is reduced, the phonon boundary scattering dominates over phonon-phonon Umklapp scattering, which decreases the thermal conductivity with an increase in temperature. |
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| 最近研究表明, 當(dāng)晶體硅被限制在納米范圍內(nèi)聲子在晶體硅內(nèi)傳輸顯著改變。這種現(xiàn)象可以用不同的影響來解釋,如邊界散射的增加、聲子色散關(guān)系變化以及聲子傳輸?shù)牧孔踊�。分子�?dòng)力學(xué)模擬表明, 納米線的熱導(dǎo)率比大體積硅可以小兩個(gè)數(shù)量級(jí)。圖 4(a) 顯示李和同事測量的不同直徑(22, 37, 56, and 115 nm) PSNA單晶內(nèi)部熱導(dǎo)率。相比大體積硅,所有的SiNWs有兩個(gè)重要特點(diǎn): （1）測量的熱導(dǎo)率比大體積硅小兩個(gè)數(shù)量級(jí)；當(dāng)納米線直徑減少,相應(yīng)的熱導(dǎo)率降低，表明增強(qiáng)邊界散射可以控制聲子在SiNWs內(nèi)傳輸。（2）直徑為37、56、115 nm納米線的熱導(dǎo)率分別在210、160、130 K達(dá)到峰值，這與大體積Si 在25 K出現(xiàn)峰值形成鮮明對(duì)比，隨著納米線直徑減小,聲子邊界散射控制聲子-聲子倒逆散射, 從而導(dǎo)致熱導(dǎo)率隨溫度的增加而降低。 |
2樓2013-04-08 19:46:05
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