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有沒有濺射過IGZO靶材的 TFT方向 已有2人參與
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| 我最近在長有一層氮化硅的硅片上濺射IGZO,然后再蒸鍍一層鋁電極,因為氮化硅硅片是成品,所以想通過這種方式,測試一下什么樣的條件下,濺射的IGZO薄膜最好,才開始在不摻氧的情況下,功率30,40W,濺射時間半個小時的時候,有一丁點的效果,但是開啟電流大,且關(guān)不斷,最后趨于平行的直線,其他濺射時間長的都直接是直線。然后就想著摻氧,Ar:O2為3:1,10:1,時,都開不了,電流很小,就想著少摻些,然后查文獻,設(shè)功率為50W,真空度為0.5帕,Ar:O2為30:1,發(fā)現(xiàn)濺射時間40分鐘的時候有些效果,而且比沒有摻氧的效果要好一下,但是也有點關(guān)不斷。就想著再多濺射一會,然后又濺射了兩個片子,分別為60min,和80min,測試效果竟然都是直線,沒有一丁點場效應,為什么會這樣?到底是什么原因,一直長不好呢?濺射氧化鋅的時候,有場效應。濺射IGZO,怎么才能濺射好呢? |
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銀蟲 (小有名氣)


銀蟲 (小有名氣)

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