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janet2012222金蟲 (小有名氣)
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[交流]
感覺VASP計算缺陷存在很大問題
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最近我用VASP在重復一篇鹽巖結構的TiN因為缺陷在Ti3N4的時候由金屬性轉變?yōu)榻^緣體的情況。一個晶胞去掉一個鈦原子形成Ti3N4,用VASP不加對成性進行優(yōu)化,無論使用或不使用LDA+U都得不到金屬性質。后來發(fā)現(xiàn)VASP的離子弛豫(ISIF=3)之后,原子位置和晶胞參數(shù)(角度一直是90度)幾乎不發(fā)生改變,也就是結構扭曲很小。而文獻用FLAPW方法LDA+U計算得到的結構比較扭曲,是半導體性質。而我用CASTEP和Dmol3優(yōu)化結構很明顯扭曲但也不是半導體性質。 我懷疑過自己參數(shù)設置有問題,但經過老師檢查參數(shù)設置沒問題。進過一年多VASP的學習,我覺得VASP在優(yōu)化缺陷方面真的不好。也許我計算時又很多不足。在這里請教大家是怎么做到讓離子充分弛豫的。 |
仿真建模與計算 |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
| 個人認為,第一性原理用密度泛函理論的軟件中,vasp是最靠譜的。你的缺陷優(yōu)化不出來,不是vasp做缺陷不好,而是你的模型真的不好說。這么高的濃度,那么缺陷和缺陷之間的相互作用也太大了,你是要研究它們之間的相互作用嗎?這種情況下,超包是必須的。至于你用其他軟件優(yōu)化說能得到你想要的,我想你的參數(shù)更精細。還有FLAPW是全電子勢軟件,它不要太多的原子就能模擬大體系,也不可能計算太多的原子。這篇文章的參雜濃度這么高,也不知道怎么通過審稿的。 |
金蟲 (小有名氣)
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木蟲 (著名寫手)
金蟲 (著名寫手)

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