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[交流]
磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶消耗不均勻 已有5人參與
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孿生磁控濺射靶在長久使用中發(fā)現(xiàn)某一點(diǎn)消耗比較快，這事為什么呢？ [ 發(fā)自手機(jī)版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
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 薄膜制備與特性 |
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3樓2015-03-29 00:39:30
欽點(diǎn)木瓜
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
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你這個問題確實(shí)比較奇怪，不過應(yīng)該和靶材沒什么關(guān)系，主要是與設(shè)備有關(guān)。某一點(diǎn)被離子轟擊消耗的快，也就是說這個點(diǎn)上，等離子密度可能會較大一點(diǎn)，但是也不是非常大，非常大的話離子也會相互碰撞抑制轟擊的效率。事實(shí)上，這樣子看下來的話，與磁場的分布關(guān)系應(yīng)該比較大，不同靶位之間也會有磁場的影響，不知道在不同靶位上，某一點(diǎn)的消耗量是不是也不一樣，如果是這樣的話，應(yīng)該可以肯定是磁場的影響。另外，建議你可以改變下濺射條件看看情況如何。 ps：我也搞濺射和靶材，歡迎一起探討共同進(jìn)步�。ǹ礃幼幽闶枪纠锩娴模皇菍W(xué)生�。� |
8樓2015-03-30 09:37:57
2樓2015-03-29 00:09:07
4樓2015-03-29 11:31:44
5樓2015-03-29 12:57:02
peterflyer 
木蟲之王 (文學(xué)泰斗)
peterflyer
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6樓2015-03-29 17:10:00
7樓2015-03-29 23:30:38
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9樓2015-03-30 09:53:07
10樓2015-03-31 09:23:59
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