 |
 |
 |
 |
 |
 |
||
 |
 |
 |
 |
 |
| 5 | 1/1 | 返回列表 |
| 查看: 5033 | 回復: 15 | ||||
| 本帖產生 1 個 1ST強帖 ，點擊這里進行查看 | ||||
| 當前只顯示滿足指定條件的回帖，點擊這里查看本話題的所有回帖 | ||||
[求助]
vasp計算帶電粒子吸附計算的問題 已有3人參與
|
||||
|
最近想計算帶電粒子在催化劑表面的吸附性質，但是看了手冊，和壇子里的介紹，發(fā)現(xiàn)對于slab模型，對整個體系加入電荷（NELECT控制），好像計算是有問題的.... 這個帖子有過說明http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=8266545&fpage=1&target=blank http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/FAQ.html最后五段 vasp官方FAQ中也有過解答。 問題： 1、針對slab模型，調節(jié)NELECT去結構優(yōu)化，是不是完全沒有意義 對一個電中性條件下已優(yōu)化好的結構（CONTCAR_1），其能量為E1，然后對CONTCAR_1加一個電子并結構優(yōu)化得到帶電下的穩(wěn)定結構（CONTCAR_2），計算CONTCAR_2在電中性下的能量E2，比較E1和E2來說明材料帶電對其結構的影響。這樣做有沒有意義。對于官方教程，我的理解是帶電后，會產生一個靜電場，使得能量不準。如果我不橫向比較能量（比較帶電前后），有沒有意義 2、如果給體系（slab）帶上一個電子，然后去吸附電中性的小分子，在這種條件下，所有的能量全是建立在帶一個電子的基礎上，這樣比較吸附的過程能量變化有沒有意義。 3、最近也看到過 對體系（slab）加電子模擬，在催化劑表面上超氧負離子O2-還原過程，這么做有沒有意義 4、仔細分析了一下啊，產生這些問題的原因都是調控NELECT不能精準地把電子加到某個原子上，有沒有其他的軟件固定原子的所帶的電荷？如果有請告知一下。 PS：曾經(jīng)在壇子里看到有說改POTCAR中電子的數(shù)目，來調控帶電，仔細分析，這樣做確實可以調節(jié)外來帶電粒子A-（slab結構總不含A元素）的電荷，并且把電荷局域到A上，但是POTCAR太深奧，不敢改，也就沒有試過...有沒有哪位試過，或者看到過類似的做法，希望告知。 非計算出身，自學的vasp，對于理論基礎把握不到位，請大家指導。 1.jpg |
回復此樓» 收錄本帖的淘帖專輯推薦
 弛豫 |
» 猜你喜歡
278求調劑
已經(jīng)有9人回復
-
297求調劑
已經(jīng)有12人回復
-
0703化學297求調劑
已經(jīng)有3人回復
-
材料學碩301分求調劑
已經(jīng)有6人回復
-
280求調劑
已經(jīng)有11人回復
-
311求調劑
已經(jīng)有3人回復
-
求調劑
已經(jīng)有3人回復
-
313求調劑
已經(jīng)有4人回復
-
317求調劑
已經(jīng)有15人回復
-
307求調劑
已經(jīng)有3人回復
» 本主題相關商家推薦: (我也要在這里推廣)
» 本主題相關價值貼推薦，對您同樣有幫助:
- 采用VASP計算得到的禁帶寬度為什么比實驗值低
已經(jīng)有11人回復
- 吸附計算如何設計？
已經(jīng)有4人回復
- 感覺VASP計算缺陷存在很大問題
已經(jīng)有17人回復
- 關于Vasp TST Tools的NEB計算中的SS NEB計算問題
已經(jīng)有7人回復
- VASP中斷計算之后，續(xù)算的準確性問題？
已經(jīng)有14人回復
- VASP 中離子的能量如何計算
已經(jīng)有12人回復
- 在用vasp進行表面吸附時，遇到的問題，求高手解惑！
已經(jīng)有12人回復
- VASP計算H原子 吸附在Pt(111)表面時，最后CONTCAR 里少了H 原子
已經(jīng)有3人回復
- 關于VASP計算收斂的判斷
已經(jīng)有25人回復
- vasp表面和吸附分子的結構分別優(yōu)化后，如何將它們放到一起
已經(jīng)有11人回復
- VASP 中NELECT 的設置
已經(jīng)有8人回復
- VASP計算表面吸附 但是能量總是不收斂/。。。
已經(jīng)有9人回復
- vasp 計算 partial charge 時k點選取的問題
已經(jīng)有19人回復
- vasp 計算 dimer的問題
已經(jīng)有4人回復
- vasp計算頻率后，如何查看OUTCAR中的結果？
已經(jīng)有8人回復
- vasp計算過渡態(tài)問題
已經(jīng)有13人回復
- 關于VASP一些瑣事的求助（K點，吸附優(yōu)化等）
已經(jīng)有12人回復
- VASP計算能帶時是否讀取WAVECAR
已經(jīng)有16人回復
- VASP計算：LORBIT設置出現(xiàn)問題
已經(jīng)有5人回復
- vasp計算Ag在graphene上的吸附能
已經(jīng)有7人回復
- vasp計算磁矩的困惑
已經(jīng)有10人回復
- VASP計算時的幾個細節(jié)設置問題，希望有經(jīng)驗的人過來指點一下！
已經(jīng)有23人回復
- 【求助】如何使用VASP計算charged defect的形成焓
已經(jīng)有12人回復
- 【求助完畢】集群上用vasp計算ELF有ELFCAR而沒有DOSCAR是啥問題？
已經(jīng)有15人回復
卡開發(fā)發(fā)
專家顧問 (著名寫手)
Ab Initio Amateur
-
專家經(jīng)驗: +224 - 1ST強帖: 2
- 應助: 47 (小學生)
- 金幣: 3511.8
- 散金: 14
- 紅花: 223
- 帖子: 2477
- 在線: 1254小時
- 蟲號: 1369423
- 注冊: 2011-08-16
- 性別: GG
- 專業(yè): 金屬材料的磨損與磨蝕
- 管轄: 第一性原理
4樓2015-03-30 18:29:28
卡開發(fā)發(fā)
專家顧問 (著名寫手)
Ab Initio Amateur
-
專家經(jīng)驗: +224 - 1ST強帖: 2
- 應助: 47 (小學生)
- 金幣: 3511.8
- 散金: 14
- 紅花: 223
- 帖子: 2477
- 在線: 1254小時
- 蟲號: 1369423
- 注冊: 2011-08-16
- 性別: GG
- 專業(yè): 金屬材料的磨損與磨蝕
- 管轄: 第一性原理
【答案】應助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
franch: 金幣+2, 謝謝回帖交流。。。。 2015-03-31 10:18:55
franch: 1ST強帖+1, 應助指數(shù)+1, 鼓勵交流。。。。 2015-03-31 10:22:58
無所謂109: 金幣+20 2015-07-25 20:55:15
franch: 金幣+2, 謝謝回帖交流。。。。 2015-03-31 10:18:55
franch: 1ST強帖+1, 應助指數(shù)+1, 鼓勵交流。。。。 2015-03-31 10:22:58
無所謂109: 金幣+20 2015-07-25 20:55:15
|
VASP那個FAQ第五段似乎給出了方案。 1、不見得沒意義，以往無法處理過剩電荷原因是因為單胞內帶有電荷會導致庫倫發(fā)散�，F(xiàn)在不少程序允許使用凝膠模型，引入背景電荷與過剩電荷相互作用來克服發(fā)散的問題。如果不能夠使用凝膠模型，那應該是無法進行計算的。但即便如此，過剩電荷可能會引起體系的兩個slab之間出現(xiàn)靜電作用，比較合適的做法是足夠的真空層（最好也考慮work function的校正）。當然，這樣的做法可能多少還是存在一些爭議。 2、你指的是Mol(-)+Slab=Mol-Slab(-)？這樣應該還是可行的吧。3也類似，前提是都是要符合1中提到的條件。 4、這個問題必須搞清楚原理，化合價只是個經(jīng)典形式電荷的問題，在量子物理中，電子是離域的，強行使之局域在某個原子根本無意義（由于方法缺陷導致的該局域而不局域又是另外一碼事）。 不必調整POTCAR，直接指定NELECT結果原則上應該沒什么不同吧。還望進一步討論。 |
» 本帖已獲得的紅花（最新10朵）
無所謂1092樓2015-03-29 23:45:56
3樓2015-03-30 16:06:34
5樓2015-03-30 19:00:47
| 最具人氣熱帖推薦 [查看全部] | 作者 | 回/看 | 最后發(fā)表 | |
|---|---|---|---|---|
|
[考研] 求調劑 +3 | 要好好無聊 2026-03-21 | 3/150 |
|
|---|---|---|---|---|
|
[考研] 材料 271求調劑 +5 | 展信悅_ 2026-03-21 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 266求調劑 +3 | 哇呼哼呼哼 2026-03-20 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 【考研調劑】化學專業(yè) 281分，一志愿四川大學，誠心求調劑 +10 | 吃吃吃才有意義 2026-03-19 | 10/500 |
|
|
|
[考研] 299求調劑 +4 | 某某某某位 2026-03-21 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 299求調劑 +6 | △小透明* 2026-03-17 | 6/300 |
|
|
|
[考研] 初始318分求調劑（有工作經(jīng)驗） +3 | 1911236844 2026-03-17 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 324分 085600材料化工求調劑 +4 | llllkkkhh 2026-03-18 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 287求調劑 +7 | 晨昏線與星海 2026-03-19 | 8/400 |
|
|
|
[考研] 求調劑一志愿南京航空航天大學289分 +3 | @taotao 2026-03-19 | 3/150 |
|
|
|
[考研]
 295復試調劑
+8
|
簡木ChuFront 2026-03-19 | 8/400 |
|
|
|
[考研] 一志愿華中農業(yè)071010，總分320求調劑 +3 | 困困困困坤坤 2026-03-20 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 一志愿 南京航空航天大學大學 ，080500材料科學與工程學碩 +5 | @taotao 2026-03-20 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 求調劑 +3 | @taotao 2026-03-20 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 085600材料與化工調劑 324分 +10 | llllkkkhh 2026-03-18 | 12/600 |
|
|
|
[考研] 0854可跨調劑，一作一項核心論文五項專利，省、國級證書40+數(shù)一英一287 +8 | 小李0854 2026-03-16 | 8/400 |
|
|
|
[考研] 334求調劑 +3 | 志存高遠意在機?/a> 2026-03-16 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 308求調劑 +4 | 是Lupa啊 2026-03-16 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 一志愿，福州大學材料專碩339分求調劑 +3 | 木子momo青爭 2026-03-15 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 304求調劑 +3 | 曼殊2266 2026-03-14 | 3/150 |
|