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[求助]
XPS半定量計算問題求解。 已有2人參與
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看了小木蟲一些資料,也算有所收獲。再次衷心感謝那些付出過的蟲友,也知道了XPS頂多是在surface層面進(jìn)行的半定量計算。但現(xiàn)在小弟仍有些不明白之處,還望打什么賜教。 比方說,現(xiàn)在有一合成薄膜Cu3N,合成過程中如果有微量的O進(jìn)去了,F(xiàn)在小弟想計算一下O/N比。小弟也窄掃了O1s和N1s。以及Cu 2p。O1s在530eV左右可以分為兩個峰,N1s本來就兩個峰(窄掃),但用XPS PEAK分峰后,O1s處的峰面積比N1s兩個峰面積之和還高幾倍。這是咋回事呢?XRD掃描結(jié)果顯示,樣品中幾乎都是Cu3N啊。按照靈敏度因子計算還不成CuO或Cu2O了? 因為N-Cu也是結(jié)合的,這可以從Cu 2p窄掃圖上一目了然,那么這部分N不算到正體N含量里面去嗎?(也就是說這部分N不該加到靈敏度因子計算法的分子分母上去嗎?) 也不知道我能否將我自己的問題表述清楚,如有不太明白問題的可以聯(lián)系我。真的很期待大家的積極發(fā)言。 |
材料表征好帖 |
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奧,沒看到你后來還做了深度剖析 1. 你的猜想是對的,深度剖析應(yīng)該很快將表面效應(yīng)去除 2. 薄膜多厚?建議你做EDS看微米尺度深度范圍內(nèi)元素成分,是否有你預(yù)期的N,Cu比例? 3. 請回生產(chǎn)工藝找原因,是否腔體污染,氣體不純? 4. 如果生產(chǎn)工藝沒問題,請問最近xps做其他樣品的深度剖析正常么?是否氬氣不純,或管路有漏? [ 發(fā)自手機版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |

木蟲 (著名寫手)
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XPS因為是電子能譜手段,探測的是最后出射的電子信息,電子在材料內(nèi)部逃逸深度在幾個nm的尺度,因此XPS技術(shù)探測深度在幾個nm到10個nm左右。而你制備的樣品如果沒有好好保存的話,基本上都會有很嚴(yán)重的表面C、O污染。所以你看到的這些C、O含量很有可能并不是你材料本身含有的,是表面污染。 而你如果做EDS、XRD等技術(shù)探測的是出射X光信息,在材料表面逃逸深度達(dá)到微米尺度,因此探測深度在幾個微米甚至更深,就不會出現(xiàn)這些問題。 有時候,人們以為 XPS測試的時候需要加入元素碳(284.6eV)作為內(nèi)標(biāo),這是不對的。C并不是做XPS的時候加入的,XPS測試不會往樣品上加任何東西。這部分C是因為你樣品保存或者轉(zhuǎn)移過程中污染引入的。 |

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