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yandali木蟲 (小有名氣)
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[求助]
已知p-型<100>單晶硅片的電阻率，如何其空穴濃度。 已有2人參與
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| 投了一篇文章，審稿人問了一個(gè)問題，請大神幫忙。The Si substrate is a p-type <100>-oriented monocrystalline silicon wafer with a resistivity of 10-15Ω•cm. What is the hole concentration in the Si substrate? |
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2樓2015-08-07 08:32:18
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
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3樓2015-08-07 10:01:27
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
yandali: 金幣+10, 謝謝你的答復(fù) 2015-08-08 11:22:34
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4樓2015-08-07 10:04:18
yandali
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5樓2015-08-08 11:32:09
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6樓2015-08-08 17:34:18
yandali
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這是關(guān)于在p型硅片上再生長不同厚度的Cu2O薄膜構(gòu)建復(fù)合材料 S1, S2 and S3，然后通過在復(fù)合材料表面沉積兩個(gè)Pt電極測試復(fù)合材料電阻的一個(gè)電阻式氣敏傳感器。審稿人的問題如下： The Reviewer’s comment: There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response? |
7樓2015-08-08 17:43:57
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8樓2015-08-09 11:31:21
yandali
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送紅花一朵 |
你好，有幾個(gè)問題請教你一下。這張圖是我做的樣品的示意圖，就是在多孔硅（porous silicon PS）樣品上生長不同厚度的Cu2O薄膜，在薄膜上濺射Pt電極，構(gòu)建的復(fù)合材料S!,S2,S3（Cu2O厚度增加）氣敏傳感器。審稿人問了這么幾個(gè)問題，There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response? 想請教一下，1.硅片的空穴濃度和硅片做成多孔硅的空穴濃度是一樣的嗎？ 2.理論上來說，Cu2O薄膜越厚，復(fù)合材料的電阻率是否應(yīng)該減�。� 請不吝賜教，謝謝！ fig1.gif |
9樓2015-08-09 20:31:35
09HIT
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10樓2017-01-13 07:08:46
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