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yandali木蟲 (小有名氣)
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[求助]
已知p-型<100>單晶硅片的電阻率，如何其空穴濃度。 已有2人參與
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| 投了一篇文章，審稿人問了一個問題，請大神幫忙。The Si substrate is a p-type <100>-oriented monocrystalline silicon wafer with a resistivity of 10-15Ω•cm. What is the hole concentration in the Si substrate? |
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yandali
木蟲 (小有名氣)
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送紅花一朵 |
你好，有幾個問題請教你一下。這張圖是我做的樣品的示意圖，就是在多孔硅（porous silicon PS）樣品上生長不同厚度的Cu2O薄膜，在薄膜上濺射Pt電極，構(gòu)建的復合材料S!,S2,S3（Cu2O厚度增加）氣敏傳感器。審稿人問了這么幾個問題，There is a real discussion on the effect of p-Cu2O / p-type silicon junction missing. What is the hole concentration in the Si substrate? How does the conductivity changes in S1, S2 and S3 samples? How does it affect the sensitivity and response? 想請教一下，1.硅片的空穴濃度和硅片做成多孔硅的空穴濃度是一樣的嗎？ 2.理論上來說，Cu2O薄膜越厚，復合材料的電阻率是否應該減小？ 請不吝賜教，謝謝！ fig1.gif |
9樓2015-08-09 20:31:35
2樓2015-08-07 08:32:18
感謝參與，應助指數(shù) +1
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3樓2015-08-07 10:01:27
yandali
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5樓2015-08-08 11:32:09
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